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碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。 　　   　　与前一代S系列器件相比，新的
  • 关键字： Vishay Siliconix  MOSFET  

满足开关电源要求的功率MOSFET

  • 近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百安培）。因此，电源设计中采用...
  • 关键字： 开关电源  MOSFET  

Vishay的MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖

  • 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
  • 关键字： Vishay  MOSFET  

只用两只MOSFET的双线圈继电器驱动器

  • 闭锁继电器在给线圈一个短电压脉冲时，会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态...
  • 关键字： MOSFET  继电器  驱动器  

基于TLE6210和L9349设计的ABS驱动电路

  • ABS作为如今汽车上必备的安全电子设备，其功能越来越受到人们的重视。ABS系统通过电磁阀和回油泵来完成对...
  • 关键字： 驱动电路  ABSTLE6210  MOSFET  

两种常见的MOSFET驱动电路设计

  • 由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下：　　A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
  • 关键字： 电路设计  驱动  MOSFET  常见  

安森美半导体持续扩充下一代计算产品平台方案

  • Sept. 21, 2011 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续为简化及加快计算平台设计而扩充其产品系列。
  • 关键字： 安森美  半导体  MOSFET  

Power Integrations推出HiperLCS系列高压LLC电源IC

  • 美国加利福尼亚州圣何塞，2011年9月14日讯 – 用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升效率（最高效率可超过97%），又可缩小尺寸，即利用高频工作（最高达750 kHz）来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  HiperLCS器件  

电动自行车控制器MOSFET驱动电路的设计

  • 电动自行车具有环保节能，价格合适，无噪声，便利等特点，因此，电动自行车成为当今社会人们主要的代步工具。与此同时，消费者和商家对整车的质量及可靠性要求也越来越高。作为整车四大件之一的控制器的可靠性显得尤
  • 关键字： 电路  设计  驱动  MOSFET  自行车  控制器  电动  

节省汽车燃料的有效途径：“启动/停止”系统

  • 许多汽车制造商设计了一种节省汽车燃料的巧妙方法，就是运用了被称为“启动/停止”系统的新概念。该系统...
  • 关键字： MOSFET  引擎  离合器  

集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046

  • 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
    关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能

    1 LM
  • 关键字： 控制器  -LM5046  全桥移  驱动器  MOSFET  集成  

低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

  • 新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。　　便携式产品(如手机、数码照相机、
  • 关键字： 比较  MOSFET  晶体管  双极结  VCEsat  

高精度MOSFET设计技巧

  • 随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
  • 关键字： MOSFET  高精度  设计技巧    

IR推出新系列40V至200V车用MOSFET

  • 全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
  • 关键字： IR  MOSFET  

新日本无线推出有30V耐圧、4A输出的半桥驱动器

  • 为了减轻对环境的影响，最新的电子设备急需高效率化，并且对其中配备的电机、LED等功率器件的控制也逐渐形成用微处理器/DSP等来控制的趋势（软件控制）。因此，电子设计工程师除了需要微处理器/DSP的知识之外，关于功率器件的驱动知识也是必不可少。
  • 关键字： 新日本无线  MOSFET  驱动器NJW4800  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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