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宜普电源 文章

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN®)功率晶体管

  •   宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。  要求更高的效率及更高的功率密度的应用现在不需要选择小尺寸还是高性能了,因为EPC2051可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(即1.1平方毫米)。EPC2051虽然占板面积小,它工作在50 V–12 V降压转换器、500 kHz开关及4 A输出电流时可实现97
  • 关键字: 宜普电源  EPC2051  

张文宾加入宜普电源转换公司(EPC)担任大中华及东南亚区销售副总裁

  •   宜普电源转换公司(EPC)宣布张文宾(Roy Chang)加人管理团队,担任大中华及东南亚区销售副总裁职位,支持亚太区业务高速增长。张先生在计算机及半导体行业拥有超过20年的研发、技术销售和市场营销的经验。他的主要职责是制定及执行销售策略以达到公司在大中华及东南亚区的销售目标。张先生的主要工作地点为台湾台北市。  张先生在加入宜普公司之前为Transphorm公司的台湾销售副总裁。之前,他在Acer及德州仪器担任研发、技术销售、销售及市场营销等管理职位。  EPC全球销售及市场营销高级副总裁
  • 关键字: EPC  宜普电源  

宜普电源转换公司(EPC)的可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据,结果表明器件的失效率很低

  •   EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠,为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。  宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告,展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果,以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得
  • 关键字: 宜普电源  FET  

宜普电源转换公司(EPC)推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用的全新eGaN FET,实现极高的分辨率

  •   宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管,它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管,面向高速终端应用,可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外,由于在整个工作温度范围内,器件具有高准确度门限,因此当镭射受热,可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。  EPC2040 eGaN 
  • 关键字: 宜普电源  EPC2040  

Nick Cataldo加入宜普电源转换公司担任全球销售及市场营销高级副总裁

  •   宜普电源转换公司(EPC)宣布Nick Cataldo加入EPC的管理团队,担任全球销售及市场营销高级副总裁职位,以配合宜普公司正在加速发展的步伐。Cataldo先生在半导体业界拥有超过35年的市场营销及销售营运的经验。他的主要职责是制定及执行销售及市场营销策略,从而达到公司的全球销售目标。  宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow称:「Nick Cataldo在领先功率半导体技术方面拥有丰富的相关经验,而他近期的工作经验包括利用全新半导体材料替代目前的硅器件。」  Cataldo
  • 关键字: 宜普电源  国际整流器  

宜普电源转换公司扩大eGaN系列,推出应用于无线电源传送的理想集成电路

  •   宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。   EPC2110是一种具有120 VDS、20 A的双路共源极器件,它采用非常纤薄的封装(1.35 mm x 1.35 mm),于栅极施加5 V电压时的最高RDS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低RDS(on)、异常低的QG及采用非常纤薄的封装,因此这种氮化镓IC可以实现高性能。   与最先进、具相同的导通电阻的功率MOSFET相比,EPC2110细
  • 关键字: 宜普电源  EPC2110  

宜普电源转换公司(EPC)推出面向D类音频放大器的理想器件

  •   宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管-- EPC2106。通过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间,从而提高效率(尤其是在更高频时)及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。   EPC2106是一种半桥元件,其额定电压为100 V、RDS(on)的典型值为55 mΩ、输出电容低于600 pF、零反向恢复(QRR)及18 A最高脉冲漏极电流。由于氮化镓元件具备低导通电阻及电容,因此可实现高效率及大大
  • 关键字: 宜普电源  EPC  

宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

  •   宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN®FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为200 A及200 V的EPC2034的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。   这些产品采用具有1 mm间距的焊球,进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔,使得器件以超小型
  • 关键字: 宜普电源  EPC2033  

宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列

  •   宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。这些产品采用具有1 mm间距的焊球,进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔,使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)实现大电流承载能力。   与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比,这些全新晶体管的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍,是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D
  • 关键字: 宜普电源  MOSFET  

宜普电源转换公司扩大DrGaNPLUS Plug-and-Play评估板系列--面向小尺寸、高功率转换器设计

  •   宜普电源转换公司为功率系统设计工程师扩大简单易用的DrGaNPLUS评估板系列,使工程师非常容易对他们所设计并采用卓越的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的功率系统进行评估,进而快速实现量产。这些评估板是概念性验证的设计,它把所有半桥式电路所需的元件整合在单块、超小型及基于PCB的模组内,可以随时直接表面贴装在PCB板上,展示出采用氮化镓晶体管的卓越功率转换解决方案。   在提升性能方面的范例可以参考EPC9203评估板--它是一块80 V、20 A半桥式功率转换器的“plug
  • 关键字: 宜普电源  DrGaNPLUS  

基于eGaN FET的1/8砖式DC/DC转换器实现500 W及96.7%效率

  •   宜普电源转换公司推出EPC9115演示板,可支持48 V至60 V输入电压范围并转至12 V、 具备42 A输出电流。它采用EPC2020(60 V)及EPC2021(80 V)增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管、德州仪器公司的LM5113半桥驱动器及UCC27611低侧驱动器。功率级使用传统的硬开关及300kHz开关频率的隔离式降压转换器。   以业界标准的1/8砖式格式取得1/4砖式的性能   整个转换器可放进1/8砖式的尺寸内,只是EPC9115演示板特别地加大尺寸以容许连接及进行
  • 关键字: 宜普电源  EPC9115  

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管

  •   宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管,进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。   宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积减少50%。这会提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。半桥式器件是面向
  • 关键字: 宜普电源  EPC2102  EPC2103  

宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管

  •   宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101最理想的应用领域是高频直流-直流转换。   在EPC2101半桥式元件内,每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ,
  • 关键字: 宜普电源  功率晶体管  EPC2101  

宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用的降压转换器演示板

  •   宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路 -- EPC9118演示板,可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。   EPC9118演示板在小型版图上(1” x 1.3”)包含全功率级(包括氮化镓场效应晶体管、驱动器、
  • 关键字: 宜普电源  EPC9118  场效应晶体管  

推动高效电源转换的氮化镓技术专家撰写以应用为主题的教科书(第二版)

  •   宜普电源转换公司宣布推出「氮化镓晶体管 - 高效功率转换器件」教科书(第二版),由电源转换业界专家撰写及约翰威立国际出版公司(John Wiley & Sons Inc.)发行。   该教科书专为攻读功率系统设计工程课程的学生及在职工程师而撰写,内容涵盖基本技术及以应用为主题的部分,旨在阐释如何利用基于氮化镓技术的晶体管设计更高效电源转换系统。   氮化镓(GaN)技术是一种新兴技术,旨在缔造新一代功率晶体管以替代旧有硅MOSFET器件。当硅器件已接近其性能极限时,氮化镓器件具备卓越传导及
  • 关键字: 宜普电源  氮化镓晶体管  功率转换器件  
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