- 宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这会提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。半桥式器件是面向
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宜普电源 EPC2102 EPC2103
- 宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101最理想的应用领域是高频直流-直流转换。
在EPC2101半桥式元件内，每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ，
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宜普电源 功率晶体管 EPC2101
- 宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。
EPC9118演示板在小型版图上(1” x 1.3”)包含全功率级(包括氮化镓场效应晶体管、驱动器、
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宜普电源 EPC9118 场效应晶体管
- 宜普电源转换公司宣布推出「氮化镓晶体管 - 高效功率转换器件」教科书(第二版)，由电源转换业界专家撰写及约翰威立国际出版公司(John Wiley & Sons Inc.)发行。
该教科书专为攻读功率系统设计工程课程的学生及在职工程师而撰写，内容涵盖基本技术及以应用为主题的部分，旨在阐释如何利用基于氮化镓技术的晶体管设计更高效电源转换系统。
氮化镓(GaN)技术是一种新兴技术，旨在缔造新一代功率晶体管以替代旧有硅MOSFET器件。当硅器件已接近其性能极限时，氮化镓器件具备卓越传导及
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宜普电源 氮化镓晶体管 功率转换器件
- 由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)具备卓越性能例如具低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸，它是高度谐振并符合Rezence无线充电联盟(A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件，可提高系统的效率。
宜普电源转换公司宣布推出无线电源转换演示套件。该套件备有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三个组件：
发射板(或放大器)
符合A4WP等级3规格的发射线圈
符合A4WP类别3规格、包含线圈的接收板
该系统可传送达35
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宜普电源 场效应晶体管 Rezence
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