- 简单场效应管功放电路图甲类DC功放用AP500A作推动级，末级精选一对日立名管K1058/J162担任。图中K1、K2为钮 ...
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场效应管 功放 甲类DC
- 场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管。而MOS...
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数字万用表 场效应管
- 1.什么叫场效应管？Fffect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载 ...
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场效应管 工作原理
- 一：场效应管的主要参数(1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极 ...
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场效应管 参数
- 场效应管检测方法与经验
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
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场效应管 检测方法 经验
- 高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化。经验证明，采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET，除简单地导通电阻上的差异之外，更重要的是，还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。
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场效应管 节能
- 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 焊 场效应管 集成电路
- 在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中
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场效应管 中英文 对照 元件 元件 制造
- 绝缘栅场效应管的结构和符号
三极管称电流控制元件；场效应管称电压控制元件。 场效应管具有输入电阻高（最高可达 10 15 Ω）、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点。
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场效应管 模拟电子 电子技术 模拟IC
- Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流I
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场效应管
- 摘要： 提出了一种新型抑制浪涌电流电路，给出了实际设计方案。关键词： 浪涌电流；场效应管
引言在现代电子设备中有许多继电器用于电源开关。但在开关过程中，常伴随着几个到几十个毫秒的触点回跳和抖动过程，单次抖跳的时间可达几十微秒到几毫秒，因此会引起被控电路的多次误动作。同时存在不同程度的机械碰撞噪声，由于触点电弧火花，会引发严重的EMI和RFI，关断时的线圈反电势高达几百到几千伏，严重时会危及驱动电路，由于超过规定的尖峰电压、浪涌电流会使触点击穿、烧损或粘结，从而误导通或丧失功能。如何解
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0609_A 场效应管 浪涌电流 消费电子 杂志_设计天地 消费电子
- 摘 要：本文介绍的新型馈电状态传感器，以电容检测原理来监测电缆芯线对地电场状态，从而间接检测矿井电缆的馈电状态，与负载是否工作、电缆有无电流无关。具有结构简单、成本低、可靠性高、灵敏度高、易于维护以及更换方便等优点。关键词：馈电状态；传感器；监控系统；场效应管引言目前市场上的馈电状态传感器大多基于光纤、电压互感器或采用霍耳器件，除进行防爆、防尘、防潮外，均没有进一步针对煤矿井下特殊条件进行考虑，所以在用于煤炭安全生产的设备中存在着难维护、灵敏度低、可靠性差、系统复杂、造
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场效应管 传感器 监控系统 馈电状态
场效应管介绍
目录
场效应管
1.概念:
2.场效应管的分类:
3.场效应管的主要参数 :
4.结型场效应管的管脚识别:
5.场效应管与晶体三极管的比较
场效应管
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
1.概念:
场效应晶体管（Field Effec [
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