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场效应管 文章

场效应管检测方法与经验

  • 场效应管检测方法与经验
    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
    根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨
  • 关键字: 场效应管  检测方法  经验    

选择高压场效应管实现节能

  • 高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。

  • 关键字: 场效应管  节能    

巧焊场效应管和CMOS集成电路

  • 焊接绝缘栅(或双栅)场效应管以及CMOS集成块时,因其输入阻抗很高、极间电容小,少量的静电荷即会感应静电高压,导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法,取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
  • 关键字: CMOS    场效应管  集成电路    

构建块状易于封装的电源供电设计

场效应管中英文对照表

  • 在场效应管对照表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒控制栅场效应晶体管(SB)、金属半导体场效应晶体管(MES)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、静电感应晶体管(SIT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等,型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号,其中
  • 关键字: 场效应管  中英文  对照  元件  元件  制造  

场效应管

  • 绝缘栅场效应管的结构和符号   三极管称电流控制元件;场效应管称电压控制元件。 场效应管具有输入电阻高(最高可达 10 15 Ω)、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点。
  • 关键字: 场效应管  模拟电子  电子技术  模拟IC  

场效应管参数符号意义

  • Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流I
  • 关键字: 场效应管  

新型抑制浪涌电流电路的设计

  • 摘要: 提出了一种新型抑制浪涌电流电路,给出了实际设计方案。关键词: 浪涌电流;场效应管 引言在现代电子设备中有许多继电器用于电源开关。但在开关过程中,常伴随着几个到几十个毫秒的触点回跳和抖动过程,单次抖跳的时间可达几十微秒到几毫秒,因此会引起被控电路的多次误动作。同时存在不同程度的机械碰撞噪声,由于触点电弧火花,会引发严重的EMI和RFI,关断时的线圈反电势高达几百到几千伏,严重时会危及驱动电路,由于超过规定的尖峰电压、浪涌电流会使触点击穿、烧损或粘结,从而误导通或丧失功能。如何解
  • 关键字: 0609_A  场效应管  浪涌电流  消费电子  杂志_设计天地  消费电子  

新型馈电状态传感器的研究

  • 摘    要:本文介绍的新型馈电状态传感器,以电容检测原理来监测电缆芯线对地电场状态,从而间接检测矿井电缆的馈电状态,与负载是否工作、电缆有无电流无关。具有结构简单、成本低、可靠性高、灵敏度高、易于维护以及更换方便等优点。关键词:馈电状态;传感器;监控系统;场效应管引言目前市场上的馈电状态传感器大多基于光纤、电压互感器或采用霍耳器件,除进行防爆、防尘、防潮外,均没有进一步针对煤矿井下特殊条件进行考虑,所以在用于煤炭安全生产的设备中存在着难维护、灵敏度低、可靠性差、系统复杂、造
  • 关键字: 场效应管  传感器  监控系统  馈电状态  
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场效应管介绍

目录 场效应管 1.概念: 2.场效应管的分类: 3.场效应管的主要参数 : 4.结型场效应管的管脚识别: 5.场效应管与晶体三极管的比较 场效应管   根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。 1.概念:   场效应晶体管(Field Effec [ 查看详细 ]

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