制程工艺技术发展探讨

　　IBM联盟开发出可在32纳米芯片中加速实现一种被称为“high-k/metal gate（高电介质金属栅极）”的突破性材料。这种新方法是基于被称为“high-k gate-first（高电介质先加工栅极）”加工工艺的方法，为客户转向高电介质金属栅极技术提供了一种更加简单和更省时间的途径，由此而能够带来的益处包括性能的提高和功耗的降低。通过使用高电介质金属栅极，IBM与联盟合作伙伴成功地开发出比上一代技术体积小50%的芯片，同时提高了众多性能。使用这种新技术的芯片将可以支持多种应用——从用于无线和消费设备的低功耗计算机微芯片到用于游戏和企业计算的高性能微处理器，预计2009年下半年采用。高电介质金属栅极芯片的总功耗可降低大约45%，对于微处理器应用来说，这一创新还可以将性能提升多达30%。

　　IBM联盟使用“高电介质先加工栅极”方法开发出了低功耗的网捷网络Complementary金属氧化物半导体（CMOS）技术，并在面积小于0.15平方纳米的单元中第一次展示了使用这种低功耗技术的32纳米超高密集静态随机访问存储器（SRAM）。另外，联盟已经在新一代高性能32纳米绝缘硅（SOI）技术中使用了高电介质创新。与上一代SOI相比，高电介材料的独特属性可将晶体管的速度提高30%以上。采用新技术的SRAM可在更低的电压下工作，减少了微处理器应用功耗。SOI的使用带来了显著的性能和功耗优势，在与高电介质金属栅极领域取得的进步相结合之后，将可以在技术上为各种应用提供高能效的芯片，比如各种游戏、个人计算机和高端计算系统。