新闻中心

EEPW首页 > 物联网与传感器 > 学习方法与实践 > 白光发光二极管的制作方法(三)——紫外线及紫光LED加荧光粉

白光发光二极管的制作方法(三)——紫外线及紫光LED加荧光粉

——
作者:时间:2008-01-07来源:电子元器件网收藏

  到现在为止,在紫外线上加荧光粉制作白光的人还很少,图1(a)是T.Nishida等人在350nm UV 加三色(TBC:Three Basal Color)荧光粉所得的光谱,图1(b)是白光在CIE色度图中的坐标位置,旁边是标准光源A的位置,Ra为86~89。

    J.K.Park等人在波长400nm紫色或称n UV LED加Sr2SiO4:Eu2+荧光粉做成白光LED。图2(a)是在410nm光激发时不同Eu含量Sr2SiO4在室温时的PL光谱,波峰在520~540nm之间,图2(b)是在20mA时在400nm波长LED加Sr2SiO4:Eu2+荧光粉以及在460nm LED加YAG:Ce荧光粉的光谱图,两者都产生白光,只是Sr2SiO4:Eu的激发所得波长为560nm,而YAG:Ce的激发所得波长则是550nm。如果增加Sr2SiO4中的SiO2含量,波峰会移动变为长波长。图3是不同Eu含量Sr2SiO4荧光粉加紫光LED所做成的白光在CIE中的坐标位置,由图可知是直线关系。

    Y.Narukawa等人做成的400nm LED样品a 在不同电流时的光谱如图4(a)所示。他们另做成的蓝光LED样品b的光谱如图4(b)所示,又在400nm LED加蓝色荧光粉做成的蓝光LED样品c的光谱如图4(c)所示。比较图4(b)及(c)可见,用蓝色荧光粉加紫光做成的蓝光LED不受电流的影响比较稳定。图5是样品a、b及c的光输出功率与电流的关系,在20mA时样品a的400nm LED的光输出功率为12m W(3.2V),样品b的蓝光LED的光输出功率为8.5m W(3.4V),而用荧光粉将400nm变成458nm的蓝光LED(样品c)的光输出功率为7.2mW(3.2V),电光转换效率为69%。{{分页}}

    图6 (a)是蓝光LED+YAG荧光粉做成的白光LED的光谱(样品d),而图6 (b)则是用400nm激发蓝光+黄色荧光粉在20mA时的光谱(样品e),样品d的CCT约为5900K,Ra约为84.9,Vf约为2.4V,ηL约为24.6 lm/W,而样品e的CCT约为5800K,Ra约为85.3,Vf约为3.2V,ηL约为26.1 lm/W,比样品d性能稍佳。图7(a)中比较了样品d及e的光强度、发光效率与电流的关系,样品e的发光效率在高电流时较高而且较稳定,而样品d的发光效率则随电流的增加而下降,图7(b)是样品d及e在色度图中x及y的位置,样品d的位置随电流的增加而改变,但样品e则几乎不变,可见用以400nm激发蓝色荧光粉所产生的蓝光LED加黄色荧光粉做成的LED比较稳定。

    下面是紫光LED加三色荧光粉所做成的白光LED的结果。{{分页}}

    Y.Sato等人是最早约1996年宣布用380nm n-UV LED激发ZnCdS:Ag(红色)、ZnS:CuAl(绿色)以及ZnS:Ag(蓝色)荧光粉得到如图8(a)所示的光谱,其所制成白光在CIE色度图中的位置是图8(b)中的d点。

    J.Wagner 等人用394nm LED激发红、蓝、绿三色荧光粉得到如图9所示的光谱,其白光在CIE色度图中的坐标是图10中空心方块之处。此LED在20mA 时输入功率为1.12m W,白光LED光输出功率为0.28m W,CCT约为4000~4300K 之间,Ra=78。

    J.K.Sheu等人也用400nm LED激发蓝、绿、红三色荧光粉,其中蓝色是BaMgAl14O23:Ru荧光粉,绿色是SrGa2S4:Ru荧光粉,红色是Y2O3:Ru荧光粉,由Nantex公司供给。图11 (a)是400 LED激发在20mA时得到的光谱,波长是450nm、500nm及600nm,图11(b)则是所得白光LED在不同电流时的光谱,CCT约为5900K,Ra约为75,20mA时发光效率为10 lm/W。

    GELcore的E.Radkov等人用405nm LED分别激发(SrEu)5(PO4)3、(Sr,Eu)4Al14O25及(Ca,Eu,Mn)5(PO4)3Cl分别得到蓝光、蓝绿光及橙黄光,其光谱如图12(a)所示,图12(b)是白光LED的光谱,Ra=75.3。RadKov又用3.5MgO



评论


相关推荐

技术专区