实现无荧光粉的单芯片白光发光二极管

图二、发光二极管InGaN/GaN 有源区透射电子显微镜截面图片

电致荧光谱研究表明在低电流下LED发射黄光。随着电流增加大于20mA，蓝光强度逐渐增加，出射光也逐渐由偏黄光过渡到白光。透射电子显微镜截面图显示在InGaN 量子阱中形成了大量的富In量子点。在低注入电流的时候，载流子先被富In量子点俘获发出黄光，随着电流增加，量子点之外的量子阱区域开始俘获载流子，辐射复合之后发射出蓝光，蓝光与黄光混合产生白光。