TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用(图)

引言
---功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一，成为机和电的关键接口。快速电力电子器件mosfet的出现，为斩波频率的提高创造了条件，提高斩波频率可以减少低频谐波分量，降低对滤波元器件的要求，减少了体积和重量。采用自关断器件，省去了换流回路，又可提高斩波器的频率。
---直流电动机的励磁回路和电枢回路电流的自动调节常常采用功率mosfet。功率mosfet是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。目前，功率mosfet的指标达到耐压600v、电流70a、工作频率100khz的水平，在开关电源、办公设备、中小功率电机调速中得到广泛的应用，使功率变换装置实现高效率和小型化。
---因为主电路电压均为高电压、大电流情况，而控制单元为弱电电路，所以它们之间必须采取光电隔离措施，以提高系统抗干扰措施，可采用带光电隔离的mosfet驱动芯片tlp250。光耦tlp250是一种可直接驱动小功率mosfet和igbt的功率型光耦，由日本东芝公司生产，其最大驱动能力达1.5a。选用tlp250光耦既保证了功率驱动电路与pwm脉宽调制电路的可靠隔离，又具备了直接驱动mosfet的能力，使驱动电路特别简单。

tlp250的结构及驱动电路的设计
 ---功率mosfet驱动的难点主要体现在功率器件的特性、吸收回路和栅极驱动等方面，下面首先介绍tlp250的结构和引脚使用方法，然后分别介绍以上各项。
● tlp250功率器件
---东芝公司的专用集成功率驱动模块tlp250包含一个gaa1as光发射二极管和一个集成光探测器，是8脚双列封装，适合于igbt或功率mosfet栅极驱动电路。tlp250的管脚如图1所示。

---tlp250驱动主要具备以下特征：输入阈值电流if=5ma(max)；电源电流icc=11ma(max)；电源电压(vcc)=10～35v；输出电流io=