LED驱动电源的单极PFC反激式开关电源方案

图四

IPKPMAX为全电压范围内IPKP的最大值，缓冲电容C1SN要承受大电流尖峰，要求其等效串联电阻ESR很小，R1根据功耗选择合适的W数，阻值一般在47K-120K之间

吸收回路二极管D1通常选择快恢复二极管，且导通时间也要求快，反向击穿电压要求大于选择的MOSFET的击穿电压BVDSS,一般在65W以下应用场合选用额定电流1A的快恢复二极管作为吸收回路二极管。

5.2.4MOS管的选取

开关管MOSFET最大漏极电流IDMAX应大于开关管所流过的峰值电流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源击穿电压(参考图四)BVDSS应大于最大输入电压，VOR以及漏感引起的尖峰之和，一般应留至少90%的余量。

5.2.5次级整流管的选取

考虑一定的裕量，次级整流管D最大反向电压VRM需满足：

因为反激式开关电源次级整流二极管只有在电源Toff的时候才会导通，输出在导通时必须能够承受整个输出电流的容许值。输出二极管需要的最小正向导通峰值电流为：

Dmax为工作周期，如果设定Dmax为0.5则Ifps>4Iout

5.2.6输出电容的选取

输出电容电压通常呈现两种纹波，一种是由高频输出电流引起，主要与输出电容的等效窜连电阻(ESR)大小有关，另外一种是低频纹波，为了获得较高的PF值，环路带宽通常较窄，因此输出不可避免地出现较大的两倍输入电压频率纹波，其值与电容大小有关，一般说来低频纹波满足要求时，高频纹波因为电容等效ESR够小，可以忽视。电容的容量可以参考各个厂家的规格书(一般选用高频低阻型)选用，根据产品的实际工作温度，电压和考虑产品的MTBF选取合适的电容系列型号。

5.2.7IC主要外围参数选取

5.2.7.1最大导通时间典型参数选取

图五

5.2.7.2CsPin参数选取

R1与C1为用来滤除突波的滤波器

R1:100?~300?

C1:100PF~470PF

图六

5.2.7.3RZCD参数选取

图七

六、用LD7830和LD8105做的24V0.7A的实际应用实例

6.1.电路：

图八

6.2.实际测试相关参数：

6.2.1空载功耗在输入AC264V为0.29W,低于0.3W

图九

6.2.2效率和PF值曲线

图十

6.2.3CV-CC曲线以及说明

Led照明驱动电源必须以恒流CC模式和恒压CV模式来控制，由于LED的正向导通压降会随着焊接面的温度升高而降低，导致LED的电流会增大，使温度升高，从而导致LED的寿命减少，甚至可能会造成产品的损害。所以参考图八电路，次级部分采用了LD8105来做CV/CC模式控制，LD8105是一款高精度的CV/CC模式控制IC,与其它同类IC比较具有电流检测电压低，Vcc输入电压比较宽，工作电流小等特点，从而可以提高整个系统的效率和应用范围。

图11

本文的目的是为了进行类似电路设计的开发人员或者准备用类似线路做设计的人员提供一个基本设计的参考资料，希望本文中一些经验能够帮到大家。