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AM30LV0064D在单片机系统中的典型应用

作者:时间:2013-04-13来源:网络收藏

  1 概述

  是AMD公司生产的一种新型非易失性。或非(NOR)结构的FLASH具有高速的随机存取功能,但成本较高;新的UltraNAND结构的FLASH相对于NOR结构的FLASH,具有价格低,容量特别大的优势,支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7~3.6V,特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合,在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。

  2 工作原理与命令字设置

  采用与工业级NAND结构兼容的UltraNAND结构,内部包含1024个存储块(单元容量为8K字节+256字节缓存);存储块中的数据按页存放,每页可存储512字节,还有16字节缓存用作与外部数据交换时的缓冲区,每块共16页。所以,主存储区一共有16 384数据页,相当于64 Mbit的数据存储器。

  的主要引脚定义:

  CE--片选使能输入;

  ALE--地址输入使能;

  CLE--命令字输入使能;

  SE--缓冲区使能输入,低电平有效;

  RE--读使能输入,低电平有效;

  WE--写使能输入,低电平有效;

  WP--写保护输入,低电平有效;

  RY/BY--内部空闲/忙信号输出;

  I/O7~0--8位数据输入/输出口;

  VCC--3.3V核心电源;

  VCCQ--I/O口电源;

  VSS--地。

  AM30LV0064D的读、编程和擦写等操作都可以在3.3V单电源供电状态下进行,同时它提供的VCCQ引脚在接5V时,I/O口可兼容5V电平。AM30LV0064D支持对主存高速地连续存取和编程操作,连续读取数据的时间可小于50ns/字节(随机读取数据的响应时间为7μs,所以连续读取时第一个数据的响应时间也是7μs);对FLASH的编程是以页为单位的,步骤是先写入数据,再执行编程命令,编程速度为200μs/页(平均约400ns/字节);芯片擦除操作以存储块为单位,擦除其中某一块对其它存储块的数据没有影响,擦除时间2ms/存储块,而且还有延缓擦降/得擦除命令,允许用户在必要时暂缓擦除操作,转而处理对其它存储块进行数据读、写、编程等操作;此外,主机可以通过读RY/BY引脚状态的方法了解FLASH内部操作是否已经完成,RY/BY也可用于实现硬件判忙接口。AM30LV0064D还具有写保护功能,这一功能通过将WP引脚设为低电平实现。


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