模拟电子技术试题一

一、选择题（每题2分，共20分）

1、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ ）。

A、增加 B、下降 C、不变

2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)

3、三极管的反向电流I_CBO是由（ ）组成的。

A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子

4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ ）。

A、强　　B、弱　　C、一般

5、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。

A、电压 B、电流 C、串联

6、振荡器的输出信号最初是由（ ）而来的。

A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声

7、引入并联负反馈，可使放大器的（　）。

A、输出电压稳定　B、反馈环内输入电阻增加　C、反馈环内输入电阻减小

8、工作在线性区的运算放大器应置于（　）状态。

A、深度反馈　　 B、开环　　 C、闭环

9、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( )U2。

A 0.45 B 0.9 C 1.2

10、测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使用（　）。

A、交流毫伏表　　B、直流电压表 C、示波器、

二、填空题（每空1分，共15分）

1、N型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，P型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，PN结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。

2、发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，则三极管处于饱和状态。

3、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。

4、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。

5、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V，共模输入电压Uic为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V。

6、集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区，在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。

7、在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈，为了降低输出电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈。

三、判断题（5分）

1、负反馈越深，电路的性能越稳定 （ ）

2、零点漂移就是静态工作点的漂移。 （ ）

3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （ ）

4、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （ ）

5、半导体中的空穴带负电。 （ ）

四、作图题（10分）

用理想运放组成的电压比较器如图所示。已知稳压管的正向导通压降U_D =0.7V ，U_Z = 5V。

1．试求比较器的电压传输特性；

2．若u_i =6sinωtV，U_R为方波如图所示，试画出u_o的波形。

五、简答题

电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡，将不能振荡的电路加以改正。 （5分）

六、计算题（37分）

1、已知：电路如图所示 V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通 2）UAO=？（5分）

2、已知：电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求：Uo=? (4分)

3、已知：RC振荡电路如下图所示 R=7.9KΩ C=0.02ηF R1=5KΩ

求： 1）fo 2）Rt冷态电阻 3）指明Rt的温度特性（9分）

4、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20ηF rbe=1.5K β=100 CE=10ηF （取小数点后一位） 求： 1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)

5、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；（9分）

七、分析题（8分）

在图示电路中，已知W7805的输出电压为5V，I_W=5mA，R₁=1 kΩ，R₂=200 Ω。试求输出电压U₀的调节范围。