模拟电子技术试题十

一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分）

（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ）

（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ）

（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ）

（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）

（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 （ ）

（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ）

（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （ ）

（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ）

（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ）

（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ）

二、选择填空 （10分）

（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈

（2）RC串并联网络在时呈 。

（A）感性 （B）阻性 （C）容性

（3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法

（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。

（A）β （B）β² （C）2β （D）1+β

（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是 ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 。

（A）共基放大电路 （B）共集放大电路 （C）共射放大电路

（6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u_C u_B u_E 。

（A） > （B） （C） = （D）≤

（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

（A） 大 （B） 小 （C） 相等

三（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u₀。

四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U_BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r_be。填空：

静态时，I_BQ的表达式为 ，I_CQ的表达式为 ，U_CEQ的表达式为 ；电压放大倍数的表达式为 ，输入电阻的表达式为 ，输出电阻的表达式为 ；若减小R_B，则I_CQ将 ，r_be将 ，将 ，R_i将 。

五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U_BEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，r_be=1 kΩ，R_B1=5 kΩ，R_B2=15 kΩ，R_E=2.3 kΩ，R_C=R_L=3 kΩ，V_CC=12V。

（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

（2）估算信号源内阻为R_S=1kΩ时，的数值。

六、（10分）在图示电路中，已知V_CC=12V，V_EE=6V，恒流源电路I=1 mA，R_B1=R_B2=1 kΩ，R_C1=R_C2=10 kΩ；两只晶体管特性完全相同，且β₁=β₂=100，r_be1= r_be2=2 kΩ。估算：

（1）电路静态时T₁和T₂管的集电极电位；

（2）电路的差模放大倍数A_d、共模放大倍数A_C、输入电阻R_i和输出电阻R₀

七、（5分）在图示OCL电路中，已知T₁、T₂管的，电源电压为±9V，负载电阻R_L=8 Ω，试计算最大输出功率P_om及效率η。

八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。

九、（6分）在图示电路中，要求R_F =100 kΩ，比例系数为11，试求解R、和的阻值。

十、（6分）求解图示电路的运算关系式。

十一、（9分）在图示文氏桥振荡电路中，已知R₁=10 kΩ，R和C的可调范围分别为1~100 kΩ、0.001~1μF。

（1） 振荡频率的可调范围是多少？

（2）R_F的下限值为多少？

十二、（5分）在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R₁=R₂=R₃=200 Ω，试求输出电压U₀的调节范围。

十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，T₂和T₃管特性完全相同，T₂管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为U_Z。填空：

调整管为 ，输出电压采样电阻由 组成，基准电压电路由 组成，比较放大电路 组成；

输出电压调节范围的表达式为 。