英特尔新处理器曝光，制程大步前进

近日，英特尔在马来西亚封测厂举行了一场参访团活动，这是该厂区近 51 年来首度开放媒体参观槟城与居林厂区，过程中也让今年下半年稍晚才要正式发表、首款采用 Intel 4 制程的处理器，在生产线的实际运作情形得以首次曝光。

这意味该芯片已进入最后准备阶段，也显示英特尔要在 4 年内推进 5 个制程节点的计划又往前迈出一大步。

英特尔在全球共有 10 个生产据点，这次邀请全球上百名媒体与分析师参访在槟城的组装测试厂、故障分析实验室、验证实验室，以及位于居林的晶圆处理加工厂，还有测试设备制造厂。

在槟城厂区的组装测试厂中，外界得以亲眼直击英特尔下半年稍晚才要登场的 Meteor Lake 处理器，采用 4 个小芯片合并而成，已经在生产线上进行最后的组装测试。

目前，英特尔量产的最先进技术为 Intel 7 制程，比前一代 Intel 10 的 SuperFin 制程的每瓦效能提升约 10%-15%，而 Meteor Lake 采用 Intel 4 制程生产，导入了极紫外光（EUV）光刻技术，此制程标榜可让产品的每瓦效能又提升约 20%。后续该公司还要持续推进到 Intel 3 制程，预计今年下半年可准备量产，Intel 20A 与 18A 制程则规划分别于明年上、下半年进入准备量产阶段。

建新厂冲先进封装

英特尔正在马来西亚槟城兴新建封装厂，强化 2.5D/3D 封装布局版图，到 2025 年，旗下最先进的 3D Foveros 封装产能将开放给客户使用。

外界预期，英特尔结合先进制程与先进封装能量后，「一条龙生产」实力大增，在晶圆代工领域更具竞争力，与台积电、三星等劲敌再次杠上。

同时，英特尔自家先进封装能力更壮大，并喊话开放让客户只选用其先进封装方案后，预料也会掀起封测市场骚动，须密切关注对日月光、安靠等 OSAT 封测厂的冲击。

台积电、三星都积极布建先进封装技术。台积电方面，主打 3D Fabric 先进封装，包括 InFo、CoWoS 与 SoIC 方案; 三星也发展 I-cube、X-Cube 等封装技术。

英特尔不落人后，其先进封装包括 2.5D EMIB 与 3D Foveros 方案。半导体三雄的竞争态势从晶圆代工领域，一路延伸至先进封装。

英特尔从 2017 年开始导入 EMIB 封装，第一代 Foveros 封装则于 2019 年推出，当时凸点间距为 50 微米。预计今年下半年稍晚推出的最新 Meteor Lake 处理器，则将利用第二代 Foveros 封装技术，凸点间距进一步缩小为 36 微米。

英特尔并未透露现阶段其 3D Foveros 封装总产能，仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外，在未来的槟城新厂也有相关产能建置，这三个据点的 3D 封装产能合计将于 2025 年时增为目前的 4 倍。

英特尔副总裁 Robin Martin 在 22 日受访时强调，未来槟城新厂将会成为英特尔最大的 3D Foveros 先进封装据点。

两年前，英特尔宣布投资 35 亿美元扩充新墨西哥州的先进封装产能，至今仍进行中。至于槟城新厂，该公司表示，兴建进度符合计划，外界预估，该新厂可能于 2024 年稍晚或 2025 年完工运作。

值得注意的是，除了晶圆代工与一条龙延伸到封装服务，英特尔表示，开放让客户也可以只选用其先进封装方案，目的是希望让客户可以更能拥有生产弹性。

英特尔在 CEO 基辛格带领下，推行 IDM 2.0 策略，除了增加自家晶圆厂产能，扩大晶圆代工业务，同时也希望弹性利用第三方的晶圆代工产能。

随着先进制程演进，小芯片（Chiplet）与异质整合的发展趋势明确，外界认为，英特尔的 2.5D/3D 先进封装布局除了强化自身处理器等产品实力之外，也是其未来对客户争取更多晶圆代工服务生意的一大卖点。

目前，几大晶圆厂积极布局先进封装，由于芯片堆叠层数大增，带动 ABF 载板需求倍增。

业界分析，目前各大厂喊出的 3D 先进封装实际仍需要 2.5D 封装制程的载板乘载，而且良率仍低，若有出海口且大厂积极导入多元应用，未来载板需求增长可期。

遭到市场点名的厂商一贯不评论单一客户信息。产业界分别提到，先前 3D 封装概念首度推出时，不少人都认为未来不需要载板，因为可由晶圆厂直接 3D 堆叠做完全套制程，但实际在终端应用上仅少数装置产品可采用，这是因为 3D 封装成本较高，需要量大且真正有产品的出海口才能降低成本。

业界分析，从目前 ABF 载板最大需求应用在高速运算来看，尚未全数使用 3D 封装，仅在部分芯片内存做 3D 封装。产业界提到，当前 3D 封装其实仍是 2.5D 技术加上部分 3D，中端尚未能全面实现仅 3D 封装而不需 2.5D 封装，而 2.5D 相关先进封装正是载板厂商机所在。