埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍

提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛力达科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光电二极管。这款新品将高增益和快速恢复时间以及低噪音性能独特地结合在一起，成为高端电信测试设备应用、光通信和分布式光纤传感系统以及对人眼安全的LiDAR/激光测距设备的理想解决方案，尤其适用于智能城市和智能工厂。

埃赛力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000 nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩光电二极管配备了FC/APC连接器，可轻松安装在所有基于光纤的系统中，作为光学时域反射仪（OTDR）和分布式光纤传感器（DOFS）用于分布式温度传感（DTS）、分布式音频传感（DAS）和应变测量。它还具有以下特点：

● 30 μm较小的活动区域

● 高响应度

● 低暗电流和噪音

● 便于光纤耦合的尾纤设计

● 符合RoHS标准

“我们很高兴通过C30733BQC-01 InGaAs雪崩光电二极管来扩展新一代传感器技术系列，”埃赛力达高性能传感器应用工程师Jens Krause说道，“由于具有非常低的噪音和高增益性能，这款新品可实现长距离光纤网络或自由空间的精确测量，为开发在1300 nm至1650 nm范围内的测试设备的设计工程师、应用工程师和产品开发经理们提供了完美选择。”
C30733BQC-01 InGaAs雪崩光电二极管将于2023年6月20日至22日亮相加利福尼亚圣克拉拉传感器及电子元件展Sensors Converge（展位号：816) ，并于6月27日至30日在德国慕尼黑激光及光电展Laser World of Photonics展出（展位号：B1展厅103）。