TI LMG341xR050 GaN功率级在贸泽开售 支持高密度电源转换设计

近日，专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 开始备货Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能，可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。

贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关，实现几乎为零的VDs振铃，其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能，比如图腾柱功率因数校正 (PFC) 结构等密集高效拓扑，让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。

LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能，不需要外部保护元件，即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性，并且所有电源轨都具有欠压锁定 (UVLO) 保护。此外，LMG341xR050还可提供响应时间低于100 ns的过流保护和高于150 V/ns的压摆率抗扰性。