美国否决中资收购飞利浦背后：阻止中国掌握第三代LED氮化镓技术

　　2月5日，《纽约时报》刊登题为《美国对中国芯片雄心的担忧与日俱增》的文章，文章中称，“中国正投入巨资打造本国半导体产业，这一提升其军事力量及本土科技产业的举动引起华盛顿的注意”。而在2016年1月下旬，美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议，就是美国政府担忧的具体体现。这早已不是第一次中资收购国外科技公司被美国政府阻扰，从早些年华为试图收购3COM，到去年紫光提出收购镁光被否决，中资在海外收购科技公司被行政力量阻挠已经屡见不鲜。

　　美国为何阻挠收购

　　美国政府要阻止的并非中国投资人所收购的照明业务本身，而是要阻止中国投资人通过收购飞利浦旗下子公司的照明业务后，进而掌握第三代半导体材料氮化镓的相关技术。

　　半导体材料发展至今已历三代：第一代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域;第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表，具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐腐蚀等优点。特别是在传统材料的功率器件发展到材料极限，已经很难满足高频、高温、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情况下，氮化镓则可凭借其材料特性，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面取而代之。

　　氮化镓、碳化硅与硅的性能对比

　　也正是因此，诸多科技公司纷纷致力于氮化镓功率器件的研发和生产——2015年1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件;2015年3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议;同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡……国内也有中航微电子、中镓半导体等公司从事该领域的研发和生产，上海市政府则投入100亿资金用于半导体材料的研发(不局限于氮化镓)。

　　可以说，氮化镓已经全球半导体研究的前沿和热点。那么，“高大上”的第三代半导体材料是怎样和普普通通的电灯产生交集的呢?

　　由于氮化镓的优异材料特性——氮化镓基LED比传统LED外形更小、功率更高、发光度更强，使其在LED电视、显示器和普通照明领域获得大展拳脚的空间，而中国一旦完成对飞利浦旗下子公司Lumileds的控股，则有可能获得氮化镓方面的相关技术。

　　更关键的是，氮化镓在高频大功率应用方面，其功率密度是现有的砷化镓材料器件的10倍，不仅可以广泛运用于通信基站、电动机车、电动汽车、风力发电等民用领域，还可以用于相控阵雷达等特殊领域。

　　因此，无论是对半导体产业的发展，还是在军事应用方面，氮化镓都有非常重要的意义。美国政府之所以阻止中国投资人收购飞利浦旗下子公司的照明业务，既有出于技术在军事应用和国家安全方面的考虑，但更多的还是出于打压中国半导体产业发展，保持美国科技公司技术优势方面的考量。

　　美国缘何“担忧”

　　中国被一些网友誉为“发达国家粉碎机”——任何一个工业领域，只要中国人突破了技术门槛，那就基本没外国人什么事了。部分发达国家在失去高附加值的工业品以剪刀差获取高额利润后原形毕露，在造血能力大幅萎缩后，又要维持高福利，进而产生“老欧洲病”，比如深陷债务危机的“欧洲四猪”。

　　在去工业化的浪潮下，美国本土劳动力密境型制造业大量转移到第三世界国家，半导体等资本技术密集型产业对美国的重要性不言而喻。

　　近年来，中国以资金、政策，以及对外技术合作、海外收购等多种方式扶持本土半导体产业，不仅在投入上不惜血本，而且在局部领域成果斐然：

　　IC设计领域

　　一方面整合国内IC设计公司——紫光在2013年底以18亿美元和9.1亿美元分别将国内最大的两家IC设计公司展讯和锐迪科收购，实现资源整合。

　　另一方面试图引进国外技术——在2013年与VIA合资成立兆芯，并由兆芯承接核高基1号专项，给予不少于70亿资金;在2014年与IBM合资，获得资金不少于20亿;2016年1月17日，贵州省人民政府与美国高通公司签署战略合作协议，成立华芯通半导体技术有限公司，贵州政府出资18.5亿占股55%，高通以技术入股持股45%;2016年1月22日，清华大学、澜起科技和英特尔在华建服务器芯片合资公司……(不过，笔者对上述合资/合作仍有些担心，发展路线一旦错了很可能南辕北辙)