基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计
TMS320C6713(以下简称C6713)是TI公司推出的高性能浮点运算DSP，采用超常指令字(VLIW)结构。时钟速率为300 MHz、225 MHz、200 MHz、167 MHz。EMIF作为C6713与外部存储器之间的接口，可支持与各种外部器件无缝(即可寻址空间已分配完毕，且地址一致连续)连接。EMIF存储器映射由4个(CE0～CE3)空间组成，这4个空间彼此独立，实现不同访问控制。C6713 DSP包含从Ox00000000地址开始的256 KB内部RAM，但其内部无非易失性存储器，需要外扩F1ash或ROM等非易失性存储器。
选用AMD公司的AM29LV800B Flash，具有1 Mx8 bit／512 Kxl6 bit的存储空间，16位数据总线。支持程序写、擦除和悬挂，支持Flash数据集成，兼容普通F1ash接口F1ash In―terface(CEl)。
2 上电自举硬件设计
图1为C6713与AM29LV800B的硬件原理框图。
2．1 硬件连接说明
图1中C6713和AM29LV800B数据总线、地址总线和控制信号均经过33Ω排阻平波后相连接，这样可有效减小总线上的信号波动，提高系统抗干扰能力。
Flash可提供硬件和软件2种方法判断其工作状态，以确定数据写入或擦除操作是否完成。其软件方法是利用从F1ash读取的数据判断其状态，读取数据中的主要判断位为SR7～SRl，它们之间的相互组合提供了软件判断工作状态的方法。硬件判断方法主要是利用F1ash的外部引脚输出信号在命令序列的最后一个写脉冲的上升沿后有效。当该引脚输出低电平时，表示Flash正在编程或擦除，而当该引脚输出高电平时，表示编程或擦除已完成。将此引脚与C6713 DSP的ARDY引脚相连，即可实现编程和擦除完成的硬件自动判断。
由于Flash是从CEl空间加载程序，因此DSP的CEI与Flash的片选CE相连，这种连接可将Flash的内部地址映射到DSP地址0x90000000上。
2．2 引导模式设定
如图1和表1所示HD3和HD4(HD[4：3])可通过跳线与3．3 V和地连接。当拔去跳线帽时，HD[4：3]引脚输入电平
“10”，引导模式设置为16 bit异步外部ROM引导，即系统中使用Flash引导。当插上跳线帽时，HD[4：3]引脚输入电平“00”，引导模式设置为32 bit主机口／仿真器引导
3 上电自举过程
当系统上电时，由引导程序将应用程序从外部存储器引导到DSP应用板上的高速存储器或DSP内部RAM中运行，该过程就是上电自举过程。由于Flash具有电信号删除功能，且删除速度快，集成度高，已成为此类外部存储器的首选。
和以往TI公司的DSP引导方式不同，TMS320C6000系列DSP采用一种新的引导方法。对于C6713，若HD[4：3]引脚输入电平为“10”，当上电或系统复位时，DSP会自动将位于Flash地址空间(0x90000000～0x9FFFFFFF)开头的1 KB代码传输到RAM存储空间“0”地址处，这就是一次引导。它的数据传输采用默认时序，由DSP中的EDMA通道以单帧形式自动传输。传输完成后，程序从地址“O”开始运行。这些均由DSP自动完成。很明显，一次引导的代码并不能满足绝大多数编程者对代码长度的要求，因此就需要二次引导过程。二次引导是将DSP一次引导的l KB代码编写成一个搬移程序，将用户的主程序搬移到高速RAM中，并且搬移完成后自动跳转至主程序入口处运行主程序。综上所述，C6713的上电自举过程分为一次引导和二次引导，其中，一次引导由DSP自动完成，而二次引导则由用户通过编程完成。
4 上电自举及烧写软件设计
图2为整个上电自举过程所需程序和各程序的搬移过程。首先将编译连接好的引导程序、主程序和烧写程序按照先后顺序由仿真器下载至DSP内部RAM，再执行烧写程序，将引导程序和主程序烧写到Flash，然后断开仿真器，关闭CCS．重新上电或复位DSP板，DSP自动将Ox90000000～0x900003ff(1 KB)地址的数据全部搬移到I)SP内部“0”地址开始的l KB空间中。搬移结束后，自动执行引导程序进行二次引导，将主程序和中断向量表搬移到内部RAM中，从而结束整个上电自举过程。
4．1 引导程序
以下为引导程序部分代码：
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