功放的数字基带预失真技术研究

摘　要:叙述一种应用于CDMA2000 基站前端的低噪声放大器的设计方案,根据基站接收系统架构确定低噪声放大器指标,利用安捷伦的先进设计系统软件进行仿真设计,仿真结果表明放大器工作频率在810～850 MHz 频率范围内增益为18 dB 左右,噪声系数018 dB ,输入回波损耗大于15 dB ,输出回波损耗大于12 dB。经实际调试与测量表明结果达到了指标要求,准备应用于杭州某通信公司的产品中。

　　随着移动通信的普及,移动通信设备商之间竞争也更加激烈;各大通信巨头为了抢夺市场,不断提高基站的性能,降低基站的价格;低噪声放大器是基站接收机的第一级,图1 是典型的基站结构示意图,从图中可以看到低噪声放大器位于接收机的最前端,因此对基站接收机来说,低噪声放大器是十分关键的部件,它直接影响到整个接收链路的信噪比,对提高基站灵敏度有决定性影响。

　　安捷伦公司的A TF54143 是一种增强型伪高电子迁移率晶体管,不需要负栅极电压,与耗尽型管相比较,可以简化排版而且减少零件数,该晶体管最显着的特点是低噪声,并具有高增益、高线性度等特性,他特别适用于工作频率范围在450 MHz ～6 GHz 之间的蜂窝/ PCS/ WCDMA 基站、无线本地环路、固定无线接入和其他高性能应用中的第一阶和第二阶前端低噪声放大器电路中。

图1 　基站结构示意图

　　1 　仿真设计

　　本文采用安捷伦公司的A TF54143 设计低噪声放大器,该低噪声放大器主要指标为: 在810～850 MHz 范围内达到增益大于17 dB ,噪声系数小于018 ,输入回波损耗大于15 dB ,输出回波损耗大于12 dB ,输出三阶交调系数大于27 dBm。

　　1.1 　晶体管模型低噪声放大器

　　通常会在源极加电感来增加稳定性,稳定性设计对于任何放大器都是必需的,没有设计成绝对稳定的放大器不能应用到产品中去的;影响低噪声放大器稳定性的因素有很多,其中源极电感是其中之一。

　　图2 是未加源极电感的FET 晶体管的等效原理图。

图2　未加源极电感的FET 等效原理图

　　由图可知输入等效阻抗的表达式为式(1) :