提升LED TV背光系统的中压升压转换器效率

低电压范围升压转换器通常用于移动设备，以便将电池电压（1.2V至4.2V）提升到较高的电压水平（如1.5至20V），从而为应用电路供电。在这个电压范围里，传导损耗是主要的考虑因素。市面上存在许多专门设计用于这些应用的器件，连续传导模式（CCM）是这些器件的主要工作模式。

高电压范围升压转换器通常用作具有90V至270VAC输入和约400VDC输出的PFC转换器，在这些应用中，传导损耗并不像在低电压升压转换器中那么重要，需要更多地考虑开关损耗和抗噪声能力。因而PFC控制器通常采用某些特别的设计要素如临界导通（CRM）工作模式、更高的电流感测电压。PFC控制器由于市场巨大而被广泛使用。

LEDTV背光应用需要24VDC输入、180VDC0.4A输出升压转换器，相比前面提到的低电压和高电压范围升压转换器，这类中等电压升压转换器很少用于消费电子产品。在这种电压和额定功率值范围中，传导损耗、开关损耗和抗噪声能力均需予以考虑，很难找到一款适合的较廉价的器件。

拓扑和器件选择考虑事项

在设计消费产品解决方案时，始终需要避免使用昂贵的拓扑和器件。而且，由于DC输入节点和输出节点（LED阵列）均位于次级端，因而LED背光照明级无需进行隔离。即便我们还有软开关谐振半/全桥拓扑等其它选择，升压（boost）拓扑是LEDTV背光照明电源应用的最佳核心拓扑。

考虑到用于移动设备的升压控制器具有高PWM频率（通常为500KHz至6MHz）和低噪声兼容性（电压模式或低电流感测电压）。用于AC/DC电源的PWM控制器似乎更合适，因其具有高栅极驱动电压（超过10V）和高电流感测电压（通常为0.5V-1.2V）。但是，大多数AC/DCPWM控制器的工作频率为50kHz至100kHz。这种频率范围对于90-270VAC输入的电源是合适的，因为它能够平衡开关损耗和电感元件尺寸。不过，对于24VDC输入电源，该频率有些低，因为低工作频率需要使用大电感器。

CRMPFC控制器是最佳的选择，因为它不仅具备AC/DCPWM控制器的优势（高栅极驱动电压和高电流感测电压），还能够通过选择电感将工作频率设置为最佳数值（200kHz）。即便CRMPFC控制器的反馈回路在电压模式下工作，但是其锯齿波发生器和比较器内置在芯片中，并具有足够大的振幅。因而，在噪声兼容性方面不会出现问题。

提高效率

使用标准CRMPFC控制器来实现升压转换器，因为具有相对较低的输入/输出电压和临界导通模式工作方式，开关损耗并不是问题，其问题在于传导损耗。图1所示为升压转换器中的主要传导损耗来源。

我们可以看到导通期间的传导损耗来自于Rsense、Rdson和Rcoil，本文不讨论减小Rcoil的方法，下面将分别探讨如何减小Rsense和Rdson。

在PFC应用中，Rsense值由最大额定功率来决定，在出现异常过流情况时，Rsense上的电压应当达到逐脉冲限流电平（Vcslim），需要保留10%的余量范围，因而可由下式计算Rsense：

对于本文探讨的应用，我们同样应当遵循这个公式。Rsense的功耗为：

，因而

我们可以看到Rsense的功耗与Vcslim成比例。标准PFC控制器的Vcslim约为0.5V至1.2V，以期避免噪声带来的错误触发。在FAN7930CM中Vcslim为0.8V。因为输入电压相对较高，而IQRMS相对较低，这个数值对于PFC应用是合适的。但对于24V输入应用，这一电压太高，使得PRsense过大。例如，我们使用飞兆半导体公司提供的设计工具，计算72WPFC（90VAC输入、400V/0.18A输出）的Rsense的功耗。我们得到结果：Rsense=0.289Ω，Rsense的功耗为0.22W。然后得出Rsense上的效率损失为0.22/72×100%=0.31%，如果我们使用相同的设计工具，计算具有24V输入、180V/0.4A输出的72WPFC控制器，其结果为：Rsense=0.077Ω，Rsense的功耗为0.96W，因而效率损失为0.96/72×100%=1.33%，相比90VAC输入状况高出三倍。

为了减小Rsense的功耗，我们设计了如图2所示的“电压垫高（Voltageblockup）”电路，使用分压器R1和R2在Vrs和Vsense引脚之间引入一个电压差，通过这个电压差，Vsense能够以较低的Rsense电压来达到Vcslim。

在图3中，我们可以看到通过增添R1和R2，即便Rsense上的电压降比Vcslim低很多，Vsense也能够达到（Vcslim/1.1）水平。这样可以降低Rsense的功耗。例如，在不使用R1和R2的情况下，如果Rsense为0.077Ω，当Ipk=10.39A，Vsense则为0.8V。如果Vgate=11V，R1=10KΩ，R2=400Ω，Rsense=0.0375Ω，当Ipk=10.39A，Vsense也可达到0.8V。但是，如果Rsense=0.0375Ω，Rsense的功耗则为0.47W，效率损失为0.47/72×100%=0.65%，相对于使用0.77ΩRsense，效率则可以提高0.68%。

在MOSFET晶片尺寸和封装相同的情况下，如果Vdss增加，MOSFET的Rdson会增大。例如，飞兆100VMOS器件FDD86102的Rdson为24mΩ。但是对于具有相同封装和价格的250VMOS器件FQD16N25C，Rdson为270mΩ。MOSFET器件的传导损耗在24mΩ和270mΩ条件下的差别很大，我们使用相同设计工具计算了24VAC输入、180V/0.4A输出PFC转换器Rdson的传导损耗。其数值分别是0.9W和10.08W。显然，270mΩRdson是不可接受的。在标准升压拓扑中，为了提供180V输出电压，需要使用250VMOSFET以获得足够的Vdss余量。在这种情况下，减小传导损耗的标准途径是选择一个Rdson较低的MOSFET器件。不过，在相同Vdss下，Rdson较低的MOSFET器件不仅昂贵，而且具有较大的Coss。较大的Coss意味着较大的关断损耗。这里，我们找到了另一种减小传导损耗的方法。就是使用100VMOSFET器件如FDD86102，将24V电压提升到180V，当然，必须采用特殊的方法解决电压问题，如自耦变压器。


图4所示为使用自耦变压器替代电感器的升压转换器，在导通期间，电流流经红色的路径就象标准升压转换器的一样，而在关断期间，电流则经过绿色路径。MOSFET漏极上的电压为：

如果我们输入N1=3T，N2=7T，Vdiode=1V，Vout=180V，Vin=24V，则Vd为：

因而可以使用100VMOSFET器件。