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高速电路的ESD保护最佳设计方案

作者:时间:2012-06-04来源:网络收藏

由于业界对在高频电路中采用抑制越来越感兴趣,所以已对消费电子领域中的一些大型器件进行了研究。对比数据表明,尽管低成本的硅二极管(甚至变阻器)的触发/箝位电压非常低,但它们的高频容量和漏电流无法满足不断增长的应用需求。

另一个重要要求是抑制器对电路信号特性的影响最小。对聚合物抑制器的测量表明,频率高达6GHz时的衰减小于0.2dB,这样它们对电路几乎没有影响。

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另外,商业化产品要求在所有不同的硬件接口位置都要有ESD浪涌。例如,一些新型电脑和更高端的消费电子可能会如下这些互连器件的大部分或者全部:以太网、USB1.1/USB2.0、IEEE-1394/1394b、音频/视频/RF以及传统的RS-232、RJ-11等端口等的audio/video/RF端口。所有传统的器件都已经不同程度地得以成功应用。但是,如今不断增长的工作频率为超低电容器件(如聚合物抑制器)提出了需求(图2a)。

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USB 2.0 协议具有100 Mbps的快速数据转换速率。因此,当采用具有SurgX技术(图 2b)的超低电容聚合物器件进行时,一个配备了USB 2.0功能的器件将具有最佳性能。这将比使用齐纳二极管或多层变阻器时产生更少的数据失真。

另外,许多新型消费电子器件能执行快速的IEEE-1394/1394b(Fireware)数据转换协议。这种非常高的数据速率(1600 Mbps,1394b)要求低电容ESD抑制器,例如聚合物浪涌器件(图 2c)。测试数据表明,聚合物ESD抑制器带来的信号失真比硅二极管器件保护Firewire端口产生的更少(图 3)。

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