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智能同步整流控制IC-IR1166/7A-B

作者:时间:2011-08-22来源:网络收藏

摘要:IR1166/则是一款能从电源变压器二次侧检测信号作IC,它不仅不需要从初级侧传输信号,而且能适应多种电路拓朴,还可应用于定频PWM及变频PWM等方面。文中详细介绍了IR1166/的主要特点、引脚功能、内部结构及典型应用。
关键词:IR1166/7;开关电源;

开关电源技术中,使系统效率提升最明显的是技术,应对不同的电路拓朴有不同模式的整流方法,但至今为止,多数同步整流IC需要从初级侧取同步信号,这给同步整流设计工作带来一定的繁锁。IR公司购买专利技术新开发的IR1166/则是一款能从电源变压器二次侧检测信号作式同步整流的控制IC,它不仅不需要从初级侧传输信号,而且能适应多种电路拓朴,适应定频PWM及变频PWM,因此它的问世及应用是开关电源技术的又一大进步。

1 主要特点
IR1167系在开关电源二次侧专用于驱动同步整流MOSFET的控制IC,且能适应DCM、CCM以及多种电路拓朴。可以工作在定频及变频两种模式,也能用于不对称半桥电路的同步整流,其主要特色有:
◇适应反激变换器的DCM、CRM及CCM三种模式工作,还适用于LLC式半桥。
◇具有最高500kHz工作频率。
◇可提供总计7A(IR1166为4A)的输出驱动及关断峰值电流(2A源出5A漏入)的能力。
◇其栅驱动输出电压在10.7~14.5V。
◇可提供50ns关断比例延迟。
◇VCC电压从11.3~20V。
◇可直接检测MOSFET的源漏电压。
◇符合低于1W的Standby能量之星的要求。

2 引脚功能
IR1166/7A-B共有8(PIN)个端子,其主要引脚功能如下:
1PIN VCC IC供电端,内部有欠压锁定及过压关断保护。在VCC电压低于11.3V时关断,高于20V时关闭,为防止噪声干扰,必须在紧靠IC处加一个足够大的旁路电容。
2PIN OVT偏置电压调整,OVT端用于调节关断阈值VTH1的偏移量。此端可选择接到GND,或接到VCC,或令其浮动,共三种输入偏置调整。此特色可以应对不同水平的MOSFET的RDSON。
3PIN MOT最小导通时间,MOT调节端控制最小导通时间的总量,一旦VTH2穿过第一时间,即给出栅驱动信号,令整流MOSFET导通,因为虚假信号及振荡也会触发输入比较器,所以MOT用于消隐比较器保持MOSFET导通,且维持一个最小时间。MOT调节范围在200ns到3μs之间,与地之间接一支电阻即可实现调节。
4PIN EN使能端,此端可使IC进入休息模式,将电压拉到2.5V以下。在休息模式,IC消耗电流总量很小,当然开关功能也被禁止,无法做栅驱动。
5PIN VD漏极电压检测端,用于检测同步整流MOSFET的漏极电压,由于此端电压会比较高,必须小心处理,用合适的方法将其接到漏极,此外在此端不可作滤波或作限流,这会影响IC的性能。
6PIN VS源极电压检测端,用于检测同步整流MOSFET的源极电压,此端必须直接接于电源的GMD及IC的(7)PIN,要用Kelvin接法,尽可能靠近MOSFET的源极端子。
7PIN GND IC的公共端,内部元件及栅驱动的参考端。
8PIN VGATE栅驱动输出端,此端为IC驱动同步整流MOSFET的驱动输出端,源出能力为2A,漏入能力为5A峰值电流。虽然此端可直接接于功率MOSFET栅极,但建议加一支小电阻串入在栅回路中,特别在驱动几个同步整流MOSFET并联时,小心地保持栅驱动环路有最小的路径,从而实现最佳开关性能。

3 内部功能
IR1167的内部等效电路如图1。其基本应用电路如图2所示。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/178709.htm

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