新闻中心

EEPW首页 > 光电显示 > 设计应用 > VFD显示模块128S64AA1及其应用

VFD显示模块128S64AA1及其应用

作者:时间:2009-07-29来源:网络收藏

引言

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/169491.htm

目前,智能仪表常用的设备有发光二极管器LED、液晶器LCD等,但是由于LED不能显示复杂字符、LCD不宜在暗室中使用的缺点,无法满足智能仪表对显示的更高求;而真空荧光显示屏具有亮度高、可调节、显示图案灵活的优点,在智能仪表中得到了广泛的。本文以Samsung公司的显示为例,介绍在基于51系列单片机的智能仪表中的

1 显示的结构以及与单片机的接口

1.1 的基本结构

提供有128×64点阵,包括显示屏、VFD驱动电路、DC/DC转换器以及显示控制器;供电电压是12V,逻辑电压是5V;亮度可以由软件来控制。

其接线端子有供电端和接口端两个,外部接口简单易用,30根接口线的功能分别为:8根数据线D0~D7和于传输数据及亮度控制信号;11根地址线用于指定数据写入地址,其中A0~A7指定列数,A8~A10指定行数;9根控制线中,BRAD为选择写数据模式与亮度控制模式,WRITE为写控制信号,READY为模块写数据允许,CLEAR为清屏信号,DSPE为显示允许信号,WP为选择写数据页数,DP为显示页数;2根地线为从电池和逻辑地。

1.2 与单片机的接口

128S64AA1模块与51系列单片机的接口,其中P1口作为VFD所需的控制线,P0和P2作为地址线和数据线。

2 显示模块的控制和操作

该模块有清空方式(Clear Mode)、写数据方式(Write Mode)和亮度控制方式(Dimming Mode)三种工作方式,对应的操作时序清晰示意了三种工作方式下对VFD模块的控制和操作过程。

(1)清空方式

将CLEAR端置低电平,此时由WP0和WP1所选择的RAM清空。当清空完毕时,READY输出低电平。此方式的优先级最高,即使READY的输出为1,RAM仍波清空。

用C51实现的RAM清空的函数为:

void VFD_clear(void)

{P1^2=0; //置清空RAM模式

P1^2=1;

P1^1=0;

do {}

while(P1^1==1); //等待清空响应

}

(2)写数据方式

当DSPE为高电平,BRAD为高电平时,通过写操作可将待显示的数据写入由WP0和WP1所选择的RAM;当数据写入完毕,READY输出低电平,此时可以继续写入下一个数据。在此工作方式中,为了使VFD内部的RAM按照行排列地址连续,以便于软件编程,在实际设计时可将地址A8~A10接VFD的A0~A2,以用于选择点阵的行数;而将地址线A0~A7接VFD的A3~A10,用于选择点阵的列数。

在写工作方式中,应包括以下几个操作步骤:

①置写数据模式;

②置显示允许;

③选择写数据页数;

④写待显示数据;

⑤选择显示页数。

因此,可将实现此功能的C51程序设计如下:

void WrChar(uchar xdata *addr,uchar code *codename,uchar count)

//addr为字的起始地址,count为字符个数

{uint i=0;

uchar col;

for(col=0;colcount;col++){

*(addr++)=codeName[i++];

do {}

while(P1^1==1);

}

上一页 1 2 下一页

评论


相关推荐

技术专区

关闭