10项TFTLCD制程技术将改变液晶面板业

　　DisplaySearch正式发行全球首份完整解析TFT LCD最新制程技术的DisplaySearch TFT LCD制程技术蓝图趋势报告(TFT LCD Process Roadmap Report)。该份报告结合DisplaySearch日本、韩国、台湾的所有TFT LCD分析师针对2012年将会影响面板产业的十大重要制程技术进行全面性的介绍与分析，是一份业界最为完整的技术报告。

　　目前面板产业面临获利与市场成长瓶颈，面板厂、设备厂商、材料厂商不断地在制程与产品技术上进行改良，并朝两大方向进行--针对有成长潜力的应用提升面板的附加价值，针对成熟的应用不断降低成本。十大重要制程技术的发展，包含LTPS(低温多晶硅)、IGZO(金属氧化物半导体)、Optical Alignment (光配向)、Advanced Resolution Exposure (高分辨率曝光)、 Advanced LC Mode (新液晶配方)、SHA (高开口率)、Low Resistance Metalization (低阻抗性金属材料)、COA (Color Filter On Array)、Thin Mother Glass (薄玻璃基板)、BM Width Reduction (黑色矩阵宽幅缩减)等等，将会为2012年及以后的面板产业带来巨大的变化。DisplaySearch在DisplaySearch TFT LCD制程技术蓝图趋势报告(TFT LCD Process Roadmap Report)中针对这十大趋势中各个技术的发展现况与展望、各家面板厂的进度与预测、以及对未来发展的关键提供全面的详细的分析。

　　另外, DisplaySearch在该报告中指出, 智能手机和平板电脑爆发式成长，使得LTPS(low temperature polysilicon低温多晶硅技术)和IGZO(indium gallium zinc oxide组成的非结晶氧化物半导体技术)等生产高分辨率显示器技术更为重要。这些TFT技术采用高移动速率半导体材料以减小TFT维度，提高光穿透率。分辨率超过每英寸230像素(230 PPI)的液晶面板，如苹果的Retina Display，高光穿透率可以使能耗降到最低，使可携式设备可长时间使用而不用充电。

　　根据NPD DisplaySearch TFT LCD制程技术蓝图趋势报告(TFT LCD Process Roadmap Report)指出，2012年高迁移率TFT-LCD背板产量预计将提高150%，从2011年的560万平方米迅速发展到1千410万平方米。如此高成长的驱动力主要在于许多五代线和更大的低温多晶硅(LTPS)产线于2012年开始投入生产，且夏普、乐金显示和三星现有的产线也投入生产金属氧化物(IGZO)。

　　“智能手机、平板电脑和成本降低将成为2012年平板显示产业快速发展的关键驱动力。”NPD DisplaySearch制造领域研究副总Charles Annis表示，“由于平板显示获利压力大，面板厂商转而投入快速发展的可携式应用，并积极寻求各种可降低成本的策略。因此，高迁移率背板、光配向(optical alignment)、高分辨率曝光技术(high resolution lithography)和先进的液晶模块组合预计将在明年成为最重要的生产技术。”

　　所有的技术都在于如何提高面板的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能够穿过到前端显示屏，为达亮度指标会因此要求高强度的光源;另外，背光模块是大尺寸液晶模块中成本占比较高的单一组件。因此，通过提高光穿透率，面板商就可以降低能耗和成本。

　　“厂商们期待真正好的新技术是能够提高光穿透率同时不降低良率。面板商和其供货商都在努力开发生产技术，力争取得竞争优势以提高2012年利润。”Annis补充到，“目前看来，像金属氧化物(IGZO)这样的技术，一方面可提高面板性能一方面可降低成本，将使面板商获取高度竞争优势，将有机会成为未来平板显示产业制造新标准。”

　　NPD DisplaySearch新出版TFT LCD制程技术蓝图趋势报告(TFT LCD Process Roadmap Report)，报告针对FPD新进生产技术做了独到且深入的分析。报告按制造工艺流程进行技术探讨，分析工序流程和制造商采用新技术现状，对57种生产技术未来的应用进行预测并分析相应的优点、机会与挑战等。同时报告对目前到2016年液晶显示器的性能指针也做了分析预测。