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Si MOSFET资讯

软开关应用中功率器件 Eoss 的计算方法

在ZVS（Zero Voltage Switching，零电压开关）软开关设计中，MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中，一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss（Output Capacit...

英飞凌功率器件 2026-09-11

一种专为满足电机驱动应用需求而设计的新型功率MOSFET技术的性能

硬开关电机驱动器容易出现电压过冲和振铃现象，通常需要添加外部元件来减缓开关瞬态过程。本研究推出了一种针对驱动优化、集成了非线性阻尼器的100V MOSFET新技术，无需额外的电路板级电路即可钳制电压峰值并抑制振铃。文中阐...

英飞凌 MOSFET 2026-09-10

安世中国12寸晶圆产能回归，云汉芯城上架精选物料，价格优势突出

汽车电动化与智能化浪潮下，功率器件与逻辑芯片的需求呈指数级增长。8月23日安世中国举行新品全球发布会，MOSFET功率器件、逻辑IC、双极性分立器件三大产品线集中亮相，以车规级品质与12英寸先进制造能力，为新能源汽车产业...

云汉芯城汽车电动化 2026-08-25

碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案

摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经...

碳化硅 SiC 2026-08-18

NoMIS展示6.5kV大芯片碳化硅 MOSFET

美国纽约州奥尔巴尼的 NoMIS Power 公司于 2020 年从纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）分拆独立，专注面向中高压电能变换场景研发碳化硅（SiC）技术。该公司现已推出首款6.5kV 大芯片 SiC M...

NoMIS 6.5kV 2026-08-18

适配AI算力电源变革罗姆SiC/GaN赋能数据中心供电架构升级

未来，AI数据中心的算力瓶颈最终将是电力，电力传输系统是算力提升的关键约束，AI数据中心的电源系统从传统48V架构在逐渐过渡到HVDC供电架构，并在往SST（固态变压器）的最终形态转变。而宽禁带半导体（SiC和GaN）在...

202608 AI算力电源 2026-07-28

Si MOSFET专栏

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Si MOSFET资料

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07-16 永源微AP70H06NF-60VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：4017|回复：0| 芯美力科技 2025-07-16 11:03:43

07-15 永源微APJ14N65D-650VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：3621|回复：0| 芯美力科技 2025-07-15 15:28:08

07-04 永源微APM-AP1N50MI650VN通道增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：2520|回复：0| 芯美力科技 2025-07-04 09:47:18

02-10 超高压MOS在辅助电源上的应用

18752004270|浏览：2150|回复：1| xqh518 2025-02-17 19:24:26

01-05 降低MOSFET损耗同时提升EMI性能

tanfpga|浏览：1448|回复：2| Hope2022 2025-01-28 01:03:07

01-05 浅析MOSFET的UIS及雪崩能量

tanfpga|浏览：1147|回复：0| tanfpga 2025-01-05 14:33:52

09-21 从原理的视角，一文彻底区分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS

tanfpga|浏览：903|回复：0| tanfpga 2024-09-21 10:38:32

08-31 MOSFET耗尽型和增强型两种类型原理介绍

tanfpga|浏览：810|回复：1| huan2220 2024-08-31 18:54:01

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【let'sdo|2026年第2期】简易超声波测距仪实践【过程-任务2：超声波数据显示】

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【let'sdo|2026年第2期】简易超声波测距仪实践【过程-任务1：串口通讯】

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使用高速栅极驱动器 IC 驱动 SiC MOSFET

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