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新纪录：日本学者研制出4Tbit/平方英寸存储密度的铁电存储体

• 　　据美国物理研究所出版的《应用物理》杂志报道，日本东北大学的科学家们在试验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提升到了每平方英寸4Tbit，达成了铁电存储体的新世界纪录，如此等级的存储密度要比现有最高级的磁记录型硬盘的存储密度要高上7倍左右。 　　这种数据存储设备使用一个尖顶悬臂对铁电体存储材料进行读写操作。进行数据写入时，向尖顶发送电脉冲，这种电脉冲可以改变对应位置的电子极性和电子所在区域周围一小片圆型区域内硅基体的介电常数。进行数据读取时，则使用尖顶来侦测附近区域介电常数的变化值来读取数据。
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