- 2月22日，笔者从2017年江西省教育工作会议上获悉，为表彰南昌大学江风益教授研究团队做出的杰出贡献，该省决定对江风益教授研究团队特别奖励1000万元，用于团队的人才培养、学科建设、科技创新、对外交流合作及条件建设。
据介绍，南昌大学江风益教授研究团队“十九年磨一剑”，经过3000多次实验，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化，打破了日美等国在该领域的技术垄断。
江风益教授研究团队的&
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硅衬底LED
- 南昌大学江风益团队成功研发硅衬底LED技术，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家，三分天下，中国有其一。
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- 一直以来，LED芯片衬底市场，蓝宝石和碳化硅两种方向“二分天下”，但此格局随着去年国家技术发明一等奖的横空出世，硅衬底时代随即到来。
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- 不就是一项硅衬底LED技术吗?但如果你清楚LED发展历史，或许会由衷发出一声感叹。因为，这是一项改写了半导体照明历史的颠覆性新技术。
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硅衬底led介绍
硅衬底LED是近年来新开发的一种在硅衬底上制造的GaN基LED，目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。 在Si [
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