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我国在硅纳米线阵列宽光谱发光研究中取得新进展

• 　　近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学合作借助时域有限差分法(FDTD)理论计算了硅纳米线发光峰位与纳米腔共振模式的对应关系，为实现硅基光电集成奠定了实验与理论基础，有助于推动硅基光源的大规模应用。相关研究成果以Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedde
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