- 日前，意法半导体和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓(GaN)功率切换元件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和伺服器。 本合作计划之重点是在200mm晶圆上开发和验证制造先进硅基氮化镓架构的功率二极体和电晶体。研究公司HIS预测，该市场将在2024年前将保持超过20%的年复合成长率。意法半导体和Leti利用IRT奈米电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发线上开发制程技术，预计在2019年完成可供
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意法半导体 硅基氮化镓技术
硅基氮化镓技术介绍
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