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爱普高电容密度硅电容S-SiCap™ Gen3通过客户验证

  • 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布,新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证,此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势,可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合,满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。爱普科技的S-SiCap™使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发,相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度
  • 关键字: 爱普  高电容密度  硅电容  S-SiCap  
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