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漏电量 文章 进入漏电量技术社区

英特尔芯片技术40年来大突破 漏电量将锐减

  •   6月13日消息,英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔披露称,它正在使用两种全新的材料制作45纳米晶体管的绝缘层和开关栅。   据chinapost.com.tw网站报道,英特尔下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多内核处理器将使用数亿个这种微型晶体管。英特尔称,它有5个早期版本的产品正在运行。这是英特尔计划生产的15个45纳米处理器中的第一个。   这种晶体管能够让英特尔继续提供创纪录的台式电脑、笔记本电脑和服务器处理器的速度,同时减少晶体管的漏电量。晶
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