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石墨炔新碳结构 有望颠覆硅芯片技术

• 在最新的一项研究中，研发出一种特殊的石墨炔转化结构，这种转化完全消除了石墨炔中所有的二配位乙炔碳，但保留了其层状结构。转化还改变了材料的能带隙。这一发现可能为未来制造全碳电子芯片的技术铺平道路，实现目前硅技术无法达到的性能。石墨炔是一种独特的碳晶体结构，与钻石和石墨截然不同。钻石中每个碳原子有四个相邻原子，石墨中则有三个，而石墨炔结合了二配位和三配位碳原子。根据计算机模型显示，石墨炔具有极为吸引人的电子、机械和光学特性。它被预测为一种半导体，具有适用于电子设备的能带隙，超高的电荷载子迁移率远超硅，以及与石
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