- 冯垚荣（电子科技大学，四川 成都 610054） 摘 要：通过分析低压MOS中存在的漏电路径，针对高压LDMOS面积大，最小宽长比有限制的特点，提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐照结构。器件仿真结果显示，新结构在实现500 krad(Si)的抗辐照能力，并且新结构不会增加面积消耗，与现有工艺完全兼容。 关键词：总剂量效应；高压LDMOS；抗辐照加固；辐射致漏电路径 0 引言 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)相比普通的MOSFET具有高耐压、高增益等优点，被广泛应用于各种电
- 关键字：
201911 总剂量效应 高压LDMOS 抗辐照加固 辐射致漏电路径
总剂量效应介绍
您好，目前还没有人创建词条总剂量效应!
欢迎您创建该词条，阐述对总剂量效应的理解，并与今后在此搜索总剂量效应的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
