- 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。
三极管饱和问题总结:
1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。
2.集电极电阻 越大越容易饱和;
3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制
问题:基极电流达到多少时三极管饱和?
解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载
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三极管 基极
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基极介绍
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。三极管的结构示意图如图1所示,电路符号如图2所示。
从三个区引出相应的电极,分别为基极b,发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
共基极电路:
输入信号电压Vi加在发射极, [
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