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垂直纳米环栅晶体管 文章 进入垂直纳米环栅晶体管技术社区

微电子所在新型垂直纳米环栅器件研究中取得突破性进展

  • 垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士1将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。
  • 关键字： 微电子所  垂直纳米环栅晶体管  集成电路  
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垂直纳米环栅晶体管介绍

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