在这个三部分系列博文中，我已经讨论了生成两个良好匹配、低漂移电压基准的解决方案。我们在第一部分从三个拓扑结构开始，在第二部分比较和对比了性能方面的不同。现在，我们来看一看这三个解决方案的其他设计注意事项：占用的空间和成本。
空间占用和成本
除了系统性能之外，在高密度应用中，PCB面积要求会十分关键。图1中给出了每个解决方案的总PCB空间一览(未考虑去耦合电容器)。
下方的表1显示所需空间的简单计算结果(只考虑器件本体尺寸)。通过从一个封装尺寸为4.64 m
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单电压基准 双电压基准
在我上一个帖子中，我们讨论了生成两个高精度电压基准输出的三种拓扑结构。今天，我们将从三个方面，即他们输出之间的总体误差、漂移跟踪和匹配，来比较这三种解决方案的性能。
总体误差
方程式 (1) 将用百分比 (%) 给出的技术规格转换为百万分比 (ppm) 表示的技术规格。
(方程式1)
每个电压输出的总体误差性能指标取决于他的初始精度和工作温度范围内的漂移，如方程式(2) 中所给出的那样。
(方程式2)
在解决方
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开发一个低漂移系统会很难，特别是在使用双极输入信号时更是如此。
诸如图1中显示的双向电流感测的应用要求使用两个良好匹配的低漂移基准电压。第一个电压，VREF定义ADC的满量程范围。需要一个偏置电压，VBIAS，来电平位移双极信号。需要使VBIAS= VREF/2，这样的话，ADC的正负摆幅相等。我将在这个系列博文中分三次讨论生成两个基准电压的三个拓扑结构。
图1：低漂移双向单电源低端电流感测系统
如图2中显示，使用两个单独的电压基准来提供一个简单且直接的方
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双电压基准介绍
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