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刻蚀系统
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应用材料推出全新刻蚀系统
应用材料11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™刻蚀系统,主要针对45nm以下存储和逻辑芯片市场。结构紧凑的Centris系统装配了8个反应腔,即6个刻蚀反应腔和2个刻蚀后清洁腔,每小时可处理多达180片硅片,最多可将单片硅片的制造成本降低30%。同时Centris系统在腔体设计上实现了突破,极大的提高了CD的均匀一致性,将其变化范围控制在0.8nm以内。
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应用材料
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应用材料公司推出全新的Mariana刻蚀系统
近日,应用材料公司推出了新的Applied Centura® Mariana™ Trench Etch系统,这是深槽刻蚀纳米制造技术领域内的一次重大飞跃。Mariana是第一个能够刻蚀80:1长宽比深槽的系统,这个关键性能使客户可以扩展DRAM电容到70nm技术节点。双频调谐功能够精密控制刻蚀轮廓和临界尺寸,使刻蚀深度不一致性小于2%。同时,系统独特的等离子化学反应提供了全所未有的硬掩膜选择性。 应用材料公司资深副总裁,刻蚀、清洁、前道和离子注入集团总经理Tom St. De
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刻蚀系统
应用材料
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