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1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET

• 山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了1200V击穿性能[Yuchuan 马等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在线发表]。通常，台面蚀刻端接 （MET） 用于电隔离 GaN 半导体器件。然而，这会导致相对尖锐的拐角，电场往往会拥挤，导致过早击穿。MET-MOS全垂直MOSFET的击穿电压约为650V。功率氮化镓器件正在与碳化硅 （SiC）
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