- 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站www.rutronik24.com.cn上供应这款MOSFET器件。SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低传导损耗。此外，该器件具有680pF的低输出电容(Coss)和28.7nC的优化栅极
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高功率密度 低通导电阻
低通导电阻介绍
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