- 近日，美国麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大突破，他们开发出了一种全新的技术，可以将低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，并通过金属有机化学气相沉积法，在低于300℃的温度下合成二维材料。这项技术可以直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长，从而实现更高层次的芯片建造。这项技术的意义非常重大，如果成熟并得到广泛应用，将会引领新一轮的技术革命。人工智能和机器人技术将会迅速发展，赛博朋克世界或许也会很快到来。为什么这项技术如此重要呢？首先，我们需要了解芯片在现代社会中扮演着什么样的角色。芯片是
- 关键字：
MIT 二硫化钼
- 据报道，麻省理工学院的研究团队最近成功开发出了一种基于二硫化钼的原子级薄晶体管，这个突破将对芯片技术的发展产生重大影响。传统的半导体芯片是由块状材料制成，呈方形的3D结构，将多层晶体管堆叠起来实现更密集的集成非常困难。而这种原子级的薄晶体管则由超薄的二维材料制成，每个晶体管只有3个原子厚，可以堆叠起来制造更强大的芯片。这项技术的突破将有望推动芯片技术的发展进入一个新的阶段，突破摩尔定律的天花板，为高性能计算、人工智能、物联网等领域带来重大影响。此外，这种技术还可以为柔性电子设备、可穿戴技术和智能纺织品等领
- 关键字：
二硫化钼 MIT
二硫化钼介绍
您好，目前还没有人创建词条二硫化钼!
欢迎您创建该词条，阐述对二硫化钼的理解，并与今后在此搜索二硫化钼的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
