日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，可提高汽车和工业应用有源充放电电路的性能。日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 最大额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，最大能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收
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Vishay 浪涌限流 PTC热敏电阻 有源充放电
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节
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Vishay INT-A-PAK IGBT功率模块
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装，10V栅极电压条件下导
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Vishay 源极倒装技术 PowerPAK 功率MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月1日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款全新可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管--- VEMD2704，扩充光电二极管产品组合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm顶视表面贴装封装，透明环氧树脂感光度达业内先进水平，快速开关时间为70 ns，容值低至17.6 pF，适于可穿戴
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Vishay 可见光敏感度增强型 PIN光电二极管
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年1月25日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其光电子产品部推出全集成新型接近传感器---VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路（ASIC）、16位 ADC和智
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Vishay 接近传感器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工业应用节能。单通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及双通道VOH263A和VOIH063A电压范围2.7 V至5.5 V，采用集电极开路输出，适用于低压微控制器、I2C和SPI总线系统。日前发布的Vishay Semiconductors器件将高效输入LED与集成的可编程输出光电检测器逻辑门结合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封装中。光耦每通道最大供电电流仅
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Vishay 低功耗光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工业应用节能。单通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及双通道VOH263A和VOIH063A电压范围2.7 V至5.5 V，采用集电极开路输出，适用于低压微控制器、I2C和SPI总线系统。日前发布的Vishay Semiconductors器件将高效输入LED与集成的可编程输出光电检测器逻辑门结合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封装中。光耦每通道最大供电电流仅
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Vishay 10MBd 低功耗光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其经过AEC-Q200认证的IHPT-1411AF-ABA触控反馈执行器获得2023年度AspenCore全球电子成就奖（World Electronics Achievement Award）“年度高性能被动电子/分立器件奖”。该器件适用于LCD显示屏、触摸屏和触摸开关面板等各种12 V车载应用。器件采用小型两件式结构，带安装孔，便于安装和直接操作，具有高冲击脉冲和振动传递能力，可在嘈杂的环境下提供清晰的触觉反馈。由电子技术领域
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Vishay 触控反馈执行器
11月8日，美国芯片公司Vishay Intertechnology和安世半导体（Nexperia）宣布，双方已经达成协议，Vishay将以1.77亿美元现金收购Nexperia位于英国南威尔士纽波特的晶圆制造厂和相关业务。纽波特晶圆厂交易需接受英国政府审查，并符合第三方购买权和惯例成交条件，预计将于2024年第一季度完成。资料显示，纽波特晶圆厂是一家200mm半导体晶圆厂，经过汽车认证，主要供应汽车市场。占地28英亩，是英国规模最大的半导体制造厂。Vishay总裁兼首席执行官Joel Smejkal表示
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Vishay 安世半导体 晶圆厂
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Vishay联手推出全新电子书《The Next Generation of Industry 4.0》（新一代工业4.0），分析了支持新一代工业4.0解决方案的技术和元件。书中，Vishay和贸泽深入探讨了为全球工厂带来变革的自动化浪潮，以及这种浪潮背后起到支持作用的关键解决方案。本电子书收录了四篇详细的专题文章，介绍了支持新一代工业应用的数字元件，此外还包含一张展望未来工业5.0的实用信息图。
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贸泽 Vishay 工业4.0
与任何电子设备一样，引爆系统需要内部电源为系统控制器 (MCU) 供电并为点火电容充电。为了确保正确定时、可靠引爆，需要使用电容器作引爆元件的储能器件。与其他电容技术相比，模塑钽 (MnO2) 电容器能够储存电荷（低漏电流)，能量密度高，是电子引爆系统的理想选择，可留出更多时间，释放更大电压确保正确起爆。对于开发和制造电子引爆系统以满足采矿应用需求的公司，本文将为大家介绍钽电容器技术的优势。对于现代引爆系统来说，模塑钽 (MnO2) 电容器具有两个主要优点。首先，与铝电解电容器不同，它们具有这些小型系统所
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Vishay 钽电容器
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。宽带隙半导体器件的优势设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓 (G
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Vishay 功率逆变器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK® 同步降压稳压器---SiC967、SiC931和SiC951，用来提高负载点（POL）转换器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封装，占位面积和高度均小于市场上此类器件，输入电压范围4.5 V至60 V。日前发布的稳压器模块比其他解决方案小69%，每款模块集成两个高性
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Vishay 降压稳压器 POL转换器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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