- iodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。在基准测试中，DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载
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Diodes DIOFET DMS3014SSS DMS3015SSS
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出全新1.5A额定电流降压转换器AP5101，其固定开关频率为1.4MHz，有助于设计人员减少机顶盒、调制解调器以及分布式电源系统等各种类型产品的电路占板面积。
该转换器凭借更高的工作频率，有效减少了电感器及其它标准外部元件的尺寸;配合紧凑的SO-8封装和集成的低RDSON功率MOSFET开关，大大减小了占板空间。外部元件数量的减少相应提高了电路设计的灵活性。
AP5101降压转换器的特点是拥有极低的串联电阻，峰值输出电流保持在1.5A的稳定水平，效率高达92%，宽输入电
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Diodes 降压转换器
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。
Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。
现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
- Diodes 公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx 系列采用先进的5V CMOS 技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25 和 SOT353 两种封装选择。74LVCE1Gxx系列则是提供相同功能的74LVC1Gxx进阶版。
Diodes 74LVC1Gxx 产品系列适用于通信、计算、消费及网络设备，最初推出的型号包括 AND、NAND、OR、NOR、XOR、 反转及缓冲功能。这款单栅极产品是业内标准器件中性价比更高的选择
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Diodes 单栅极 74LVC1Gxx
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。
这些微型晶体管适用于MOSFET和I
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Diodes 晶体管
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。
这些微型晶体管适用于MOSFET
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Diodes 晶体管 DFN1411-3
- Diodes公司推出六款高可靠性的电流监控器产品系列，适用于40V和60V操作。最新的ZXCT108X 器件能检测高侧检测电阻器中的电流，提供接地参考，从而降低系统电路复杂性及成本。
新器件提供宽电源电压及共模电压范围，适合各种应用。ZXCT1083、ZXCT1085及ZXCT1087 支持2.7V至40V电压，适用于工业及计算机电源应用;ZXCT 1082、ZXCT1084和ZXCT1086的额定电压为2.7V至60V，适合处理汽车负载突降和安全特低压电路(SELV)。
Diodes 新
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Diodes 电流监控器 ZXCT108X
- Diodes公司推出新型 ZXLD381及ZXLD383 LED 驱动器是专为实现以单个太阳能或充电电池驱动的低功率高亮度LED 而设计的最简单可行的解决方案。这些脉宽调制 (PFM) 直流-直流转换器有一个板上低饱和电压开关晶体管，只需要一个电感器即可实现高效率的LED 照明。
该驱动器可在低至0.9V 的输入电压下工作，能够提供高达 80mA 的电流，根据外部电感值的不同，可为单个或多个LED 驱动提供恒定电流。该驱动器的效率高达 93%，有助于延长各种照明应用的电池使用寿命。
ZXL
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Diodes LED驱动器 ZXLD381 ZXLD383
- Diodes公司推出六款新型高侧电源开关，为广泛的自供电和总线供电USB 应用及其它热插拔 (Hot-swap) 应用提供全面的端口保护。该款 AP21x2A 双通道器件专为耐受高电容负载及短路而设计，两极都有启动输入(Enable input)功能，可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流。
这些电源开关可提供2微秒 (2µs) 的快速瞬态响应，能够防止虚假关机或重新启动，提高系统的强韧性。这些器件可提供0.8A、1.4A或2.0A的精确限流, 具备过温和短路保护，以
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Diodes 电源开关 USB
- Diodes公司推出API9221锂离子/聚合物电池充电器IC，适用于需要USB和AC/DC电源适配器充电输入的各种手持设备。该款双输入IC支持USB 主机及DC适配器连接，可分别提供符合USB标准或高达1.2A的充电电流。
为确保设备能够支持各种OEM 及售后市场充电器，API9221 输入可承受最大28V的电压，因此降低了对外部保护元件的需求。当USB 输入电压高于5.4V 或DC适配器输入电压高于6.8V时，充电器会暂停充电以保护IC、电池及系统。该IC输出还具有反向电流保护。
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Diodes 充电器 API9221
- Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。
PowerDI5的占板空间仅有26 mm2，比SOT223小47%，比DPAK小60%;板外高度仅为1.1mm，远薄于1.65mm高的SOT223和2.3mm高的DPAK 封装。
PowerDI5最小的铜板电功率额定值 (minimum copper power ratin
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Diodes 晶体三极管 矩阵射极
- Diodes公司推出一款额定1A的线性模式恒流LED驱动器，专门用于降低包括手电筒、应急照明，花园照明和池畔应用等通用照明产品的尺寸和成本。
高集成的DLD101 LED驱动器采用优化的小尺寸扁平DFN封装，可为设计师节约大量的板上空间，其封装的高热效率确保其比SOT23 IC更高的功耗。
DLD101集成了一个独特的“基底存取预偏置晶体管”，在片上集成了偏置电阻，通过单一外部电阻设置LED电流，无需额外增加升压晶体管。在旁路元件方面，采用了高漏极电流60V N沟道
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Diodes LED驱动器 DLD101
- Diodes公司针对单波段卫星低噪声模块 (LNB) 推出一款高集成偏压、控制及电源管理IC ZXNB4204。该器件可减少分立元件数量和PCB尺寸，同时提高性能和可靠性，妥善地处理场效应管 (FET) 及混频器偏置、通道检测和控制，为增加的LNB功能提供了一个稳定的电源。
该LNB控制器采用3mm x 3mm 16引脚QFN封装，只需要3个外部元件便可以支持;例如采用有源混频器 (Active Mixer)，所需的外部元件可减至2个。
该芯片可为多达4 个砷化镓 (GaAs) 或高电
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Diodes 电源管理 LNB ZXNB4204
- Diodes公司推出专为USB端口保护及其他3-5V热插拔互连优化的0.5A单通道电源开关。AP2145(低激活状态)和AP2155(高激活状态)可根据高容性负载和短路的可能性，为消费、计算和通信应用提供全面的保护解决方案。
该电源开关完全符合USB标准，并采用行业标准的SOP- 8L和裸露焊垫MSOP – 8L - EP封装。其快速10μs瞬态响应时间可防止不必要的系统关机或重新启动，而其精确的1A电流限制功能有助于降低系统轨电流要求及相关元件成本。
AP21X5提
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Diodes 电源开关 AP2145
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