- Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
在10V 的VGS电压下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10mΩ 及8.5mΩ。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通
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Diodes DIOFET
- iodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。在基准测试中，DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载
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Diodes DIOFET DMS3014SSS DMS3015SSS
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