在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。安森美（onsemi）凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问，并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。01 什么是垂直GaN？它与其他GaN 技术有何不同？目前市面上的GaN 器件通常采用横向结构，即GaN 层生长在硅或蓝宝石衬底上。而垂直 GaN 器件的 GaN 层则生长在 GaN 衬底上。这种垂直设计允许电流
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