- 中芯国际(SMIC)已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂，除了处理器之外他们也在积极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nm NAND闪存芯片，日前中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议，将使用40nm工艺为后者代工RRAM阻变式存储器芯片，意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。
RRAM阻变式存储器也被称为相变内存，RRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成，其特点就是受热之后可以改变形状，成为晶体或者非晶体，而不同状态具有不同电阻值，因此可以用来储存数据。
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中芯国际 RRAM
- 中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”)，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar，今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。
作为双方合作的一部分，中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费
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中芯国际 RRAM
- 继 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)发表了他们在电阻式记忆体(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后，Sony 也与合作夥伴 Micron 发表了自 2011 年首度公开 RRAM 试作品后的最新试作品结果。
在 RRAM 的合作关系中，Sony 与 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技术，Micron 则是目前记忆体制造业的大厂。在今年的
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- 阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器，相比现在的闪存，它的速度快上许多，读写时还非常节能。今天，加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术，可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据，这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高，同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍，读写时的功率仅为1/20。
取决于不同的设备，RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年，使用寿命也10倍于NAND，可以说是一种完美的高速存储器。C
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阻变存储器 RRAM
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