在工业应用的成像系统中，CCD是采用定制的半导体工艺生产，高度优化于成像应用，并需要外部电路将模拟输出电压转换为数字信号用于后续处理。具有高效的电子快门能力、宽动态范围和出色的图像均匀性。而CMOS图像传感器不像CCD将电荷传送到有限的输出端，而是放置晶体管在每一像素内，来进行电荷——电压转换。这令电压在整个器件中传输，使更快和更灵活的图像读取成为可能。
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成像系统 图像传感器 CCD CMOS 201604
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的。COMS集成电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，下面来说一下两者的区别。 什么是TTL电平 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制
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TTL CMOS
整合光子与电子元件的半导体微芯片可加快资料传输速度、增进效能并减少功耗，但受到制程方面的限制，一直无法广泛应用。自然(Nature)杂志刊登一篇由美国加州大学柏克莱分校、科罗拉多大学和麻省理工学院研究人员发表的论文，表示已成功利用现有CMOS标准技术，制作出一颗整合光子与电子元件的单芯片。
据HPC Wire网站报导，这颗整合7，000万个电晶体和850个光子元件的芯片，采用商业化的45纳米SOI CMOS制程制作，与现有的设计和电子设计工具均相容，因此可以大量生产。芯片内建的光电发射器和接收器
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芯片 CMOS
在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF 微波滤波器
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限参数外，还应注意以下几个问题。 1、电源问题 (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时，最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正
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CMOS 集成电路
RF电路布局要想降低寄生信号，需要RF工程师发挥创造性。记住以下这八条规则，不但有助于加速产品上市进程，而且还可提高工作日程的可预见性。
规则1：接地通孔应位于接地参考层开关处
流经所布线路的所有电流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不过回流通常流经相邻的接地层或与信号线路并行布置的接地。在参考层继续时，所有耦合都仅限于传输线路，一切都非常正常。不过，如果信号线路从顶层切换至内部或底层时，回流也必须获得路径。
图1就是一个实例。顶层信号线路电流下面紧挨着就是回流。当它转移到底层时，回
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RF 寄生信号
一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
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TTL CMOS
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族奈米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。
除了IBM (瑞士)，该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund Universi
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5G CMOS
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，进一步扩展成像方案产品阵容，推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术，提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通过采用其片上PDAF处理，大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力，较市场上其它
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安森美 CMOS
本文以改善RF的信号质量(频带外的不必要辐射)为目的，介绍使用了片状铁氧体磁珠和片状电感器的移动终端的PA电源线的噪声对策方法。 以智能手机为首的移动无线终端的Power Amplifier (PA)中，为了抑制不必要的辐射(频带外的&杂散发射)，寻求改善PA的电源质量(PI: 电源完整性)的例子很多。在无线通信中，以国际标准(ITU)为首，3GPP(无线通信标准机构)，以及各运营商都对不必要的辐射的范围值设定了严格的标准。因此，我们有必要通过PA的电源线的噪声
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RF 噪声
在正在举行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美国旧金山)上，与积层CMOS图像传感器的3D(三维)化相关的发表接连不断。在有9项演讲的“SESSION6 Image Sensors”论坛上，有3项演讲是与CMOS图像传感器的3D化有关的。以前业界就在做3D化尝试，而此次的3项技术除了比原来具有更强的低成本和低功耗意识之外，还在3D化中轻松实现了“模块化”。
通过模块化手段
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CMOS 传感器
在英特尔(Intel)负责晶圆厂业务的最高长官表示，摩尔定律(Moore’s Law)有很长的寿命，但如果采用纯粹的CMOS制程技术就可能不是如此。
“如 果我们能专注于降低每电晶体成本，摩尔定律的经济学是合理的;”英特尔技术与制造事业群(technology and manufacturing group)总经理William Holt，在近日于美国旧金山举行的年度固态电路会议(ISSCC)上对近3,000名与会者表示：“而超越CMOS，我们将看
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摩尔定律 CMOS
美国 CMOS 图像感测器大厂豪威(OmniVision)28 日宣布与中国清芯华创为首的投资基金完成收购，从清芯华创等提出收购邀约到完成并购历时长达两年，而在消息公布同时，豪威也于 28 日暂停在那斯达克证券市场的交易。
豪威 28 日宣布，与中国清芯华创、中信资本与其旗下的金石投资所组成的投资基金完成收购，豪威以每股 29.75 美元、总计 19 亿美元代价授予中国该基金，并于 28 日起于那斯达克证券市场暂停交易。据悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到来自清
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OmniVision CMOS
第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会 时间：2016.01.14 下午 地点：深圳南山软件创业基地 IC咖啡 演讲主题：RF integrated module to support CA and global phone 演讲人：陶镇 - Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理 陶镇：大家早上好!我是陶镇，来自Qorvo公司。刚才主持人介绍
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Qorvo RF
随着数字电路向高集成度、高性能、高速度、低工作电压、低功耗等方向发展，数字电路中的△I噪声正逐步成为数字系统的主要噪声源之一，因此研究△I噪声的产生过程与基本特点，对认识△I噪声特性进而抑制△I噪声具有实际意义。 反相器是数字设计的核心。本文从反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪声的产生过程与基本特点。 1 △I噪声的产生 1.1 TTL中△I噪声的产生 TTL反相器的基本电路如图1所示。在稳定状态下，输出Vo分别为高电平VOH和低电平VOL时，电源提供的电流IH和I
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TTL CMOS
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