奥地利微电子公司推出256抽头、SPI接口、非易失数字电位器AS1506，可提供10、50和100kΩ电阻，进一步扩展了数字电位器产品系列。 AS1506的最大待机电流为500nA，包括CMOS写操作电流在内的最大工作电流只有200µA，因此是低功耗应用的理想选择。AS1506采用2.7至 5.5V单电源工作，端到端电阻的温度系数为90ppm/
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摘 要：介绍了如何在基于NiosII的SOPC中设计EEPROM的Controller Core，用Verilog HDL实现其硬件部分，编写了相关驱动程序和应用层软件，构建了基于NiosII的SOPC。并以AT24C02为例，在Altera的Stratix1S10的FPGA上实现了通过EEPROM Controller对其进行读写，试验结果正确。关键词：NiosII; SOPC; EEPROM Controller&nbs
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意法半导体宣布，据市场分析公司iSuppli的报告，ST是2006年全球串行EEPROM市场第一大厂商，这是ST在这个市场连续第三年排名第一。据iSuppli的分析报告，2006年ST的市场份额为25%，远远高于排名位置与其最近的竞争对手，虽然价格不断降低，但是ST的销售额却提高了17.8%。总销售额2.78亿美元，主要贡献者包括串行EEPROM芯片、记忆卡和电子标签（RFID）。 与竞争对手相比，ST的2006年市场表现非常出色，串行EEPROM芯片产量达到17亿颗，比2005年提高22%。ST的EEP
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意法半导体宣布该公司存储密度2 Kbit到64 Kbit的所有串行EEPROM芯片（SPI和I2C接口两个系列）都将采用2 x 3mm MLP8微型封装，与上一代的4 x 5mm S08N封装相比，新封装能够为高端消费电子和通信产品节省大量的空间和成本。
ST是市场第一个用小封装提供全系列低密度串行EEPROM产品的半导体厂商。与其它封装相比，新的超薄(0.6mm)细节距双平面2 x 3mm微型引脚框架封装(MLP)取得了多项重大技术改良，而且新系列产品的占位面积在2 Kbit到64 Kbit整
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ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片，这个型号为M24M01的新产品采用微型SO8N封装，封装外壳宽度仅为150-mil (3.8mm)；这个串行EEPROM是目前市场上唯一的在如此小的封装内挤进高密度存储器芯片的半导体器件。该产品还有一款是采用SO8W封装，这款产品内置I2C双线串口，专门为消费电子和医疗设备设计，是保存参数经常被修改的海量数据的理想选择。存储密度从1千位一直到1兆位，ST的I2C EEPROM系列是目前市场上的最强大的产品阵容。 M2
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意法半导体(ST)推出新的带EEPROM和嵌入式晶体的实时时钟芯片 新器件在电表应用中同时提供三大功能： 压缩电路板空间，提高产品可靠性，降低制造成本 意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)推出一个高精度的串行实时时钟(RTC)，该芯片在一个节省空间的18引脚SOIC (小外廓集成电路)内集成了EEPROM和一个嵌入式晶体。ST的新产品M41T56C64压缩了电路板空间，提高了系统可靠性，降低了制造成本，特别适用于有计时精度和非易失性数据存储要求的应用产品。目标应用包括电表、医疗设备、自动售货
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ST推出一个高精度的串行实时时钟(RTC)，该芯片在一个节省空间的18引脚SOIC (小外廓集成电路)内集成了EEPROM和一个嵌入式晶体。ST的新产品M41T56C64压缩了电路板空间，提高了系统可靠性，降低了制造成本，特别适用于有计时精度和非易失性数据存储要求的应用产品。目标应用包括电表、医疗设备、自动售货机、销售点终端(POS)。 芯片的实时时钟(RTC)部分提供年、月和日以及时、分和秒的数据。工作功耗仅为450nA (典型值)，一枚48mAh的纽扣型锂电池能
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EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read一Only Memory)即电子擦除式只读存储器，它是一种非挥发性存储器，与擦除式只读存储器(EPROM)类似，电源消失后，储存的数据依然存在，要消除储存在其中的内容，不是用紫外线照射方式，而是以电子信号直接消除即可。
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文中介绍了AT93C46/56/66等存储器的引脚功能和指令时序，给出了AT93C46/56/66和单片机的接口应用电路和软件程序。
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