摘要超宽带（UWB：Ultra-wideband）通信技术性能优良，具有广阔的应用前景，越来越受到人们的重视。UWB通信系统的信号在频域上范围极宽，FCC分配给UWB民用通信的频段是3.1～10.6GHz，与无线局域网（WLAN：wirelessLAN）系统（IEEE802.11a）共享了5.15～5.825GHz的频段。为使UWB技术得到广泛的应用，实现UWB通信系统与其他现有通信系统的兼容是首要的。在已有模型的基础上，选择信噪比、数据率、干扰值作为评价系统性能的参数，仿真分析了UWB通信系统对WLAN
关键字：
WLAN 数据通信 UWB
医疗设备制造商可在各种无线应用中使用超宽带技术。超宽带（UWB）是一项高带宽（480-1320Mb/秒）和短距离（10-50米）的无线传输技术，正逐渐在医疗应用中更多的使用。UW
关键字：
医疗设备 TDMA UWB
超宽带无线通信技术以其低功耗、高带宽、低复杂度等优点而倍受重视，使用蝶形结构设计了一种新的平面超宽带天线。 该天线由同轴馈电，天线的制作是通过在介质基板上下面上分别印刷一个半圆形金属，在上层刻蚀掉2个正方形图案，下层刻蚀掉2个半圆形图案实现。
关键字：
蝶形 平面超宽带 UWB 天线设计
每个器件都有一个最大的功率极限，不管是有源器件（如放大器），还是无源器件（如电缆或滤波器）。理解功率在这些器件中如何流动有助于在设计电路与系统时处理更高的功率电平。
关键字：
PCB IR 微波射频器件 热分析 红外技术
无线传感器网络作为一门面向应用的研究领域，在近几年获得了飞速发展。在关键技术的研发方面，学术界从网络协议、数据融合、测试测量、操作系统、服务质量、节点定位、时间同步等方面开展了大量研究，取得丰硕的成果;工业界也在环境监测、军事目标跟踪、智能家居、自动抄表、灯光控制、建筑物健康监测、电力线监控等领域进行应用探索。随着应用的推广，无线传感器网络技术开始暴露出越来越多的问题。不同厂商的设备需要实现互联互通，且要避免与现行系统的相互干扰，因此要求不同的芯片厂商、方案提供商、产品提供商及关联设备提供商达成一定的
关键字：
无线传感器 UWB
无线连接为用户新的移动生活方式注入了便捷。消费者马上就会对这种电子家庭的便捷产生巨大需求，他们的个人电脑、数码录像机、MP3播放器、数码可携式摄像机、数码相机，高清晰电视(HDTV)、机顶盒(STB)、游戏系统、掌
关键字：
Intel公司 个人局域网 UWB
基于变换采样的超宽带接收机设计, 在高精度UWB定位系统中，目标信号是超短脉宽的脉冲，有很宽的带宽，为了对这种宽带信号进行处理，我们要求如下两个条件。1)设计应该实现超高的采样率。对于UWB定位系统，恢复较好的脉冲波形以获得较高时间分辨率信息
关键字：
变换采样 FPGA 可编程延时芯片 ADC UWB 接收机
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International R
关键字：
LED 驱动 IR IC
本文提出的是一种基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)结构的创新型结构，对于同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更优秀的特性。我们设计的这款新型EBG结构，是在周期性L-bridge EBG结构的基础上，在一些单元内插小型的L-bridge EBG。通过仿真验证，此结构具有传统型L-bridge EBG结构所不具有的超带宽抑制能力和较大的抑制深度。然后我们运用电路模型和平行板谐振腔原理分析了该结构上下变频。另外，通过3-D
关键字：
EBG SSN 电源完整性 IR-Drop 201607
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD
关键字：
IR MOSFET IRL6297SD
D类音频放大器可以在90%左右的效率水平下运行，让设计者能够利用小型散热器或者无需散热器即可提供极高的音频输出。它已逐渐成为高端家用A/V设备以及移动设备的首选拓扑，能够帮助设计者实现高性能与小尺寸组合，而这正是全世界用户所期望和需要的。
现在，高集成度D类放大器件，包括单个封装内的整个放大器模块的出现让企业能够更快地将价格极具竞争力的新产品推向市场，并且其音频性能达到或者超过了传统的模拟放大器。因此，D类音频放大器近十年来市场突飞猛进，年复合增长率远远高于应用特殊型音频器件。
D
关键字：
IR D类放大器
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用，包括泵电机控制和车身控制等。 使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403，是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品，具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚，管脚的端口通过电镀进行焊接，从而
关键字：
IR MOSFET COOLiRFET
球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备
关键字：
IR MOSFET DirectFET
国际整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系统级封装(System-In-Package,SIP)节能智慧型功率模组(IntelligentPowerModule)系列，有效缩小及简化空调、风扇、压缩机和洗衣机等家电马达驱动应用的设计。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示，要超越IR上一代IRAM产品所建立的行业标准基准并非易事，全新IRAMGen2平台能够利用下一代IRAM系统级封装智慧型功率模组的先进技术，通过改善热效能及减少电磁杂讯，以满足市场对更高效家电应用马达驱动器与日俱增的需求
关键字：
IR 驱动器设计
摘要 提出了一种新型双陷波特性的超宽带单极子天线。通过在介质基板上添加锥形辐射贴片，天线可以覆盖超宽带通信频段。在辐射贴片上引入上、下两个锥形缝隙结构，可以实现3.5 GHz、5.5 GHz的双陷波特性。天线实测模型电压驻波比<2的阻抗带宽是2.56～10.61GHz，其中3.18～3.76 GHz和4.4～5.75 GHz具有陷波特性。测试表明，天线在工作频带内具有全向辐射特性。
20世纪90年代，超宽带技术已经应用于军事领域。随着短距离无线通信的发展，2002年美国联邦通信委员会划分3.1～1
关键字：
天线 UWB
ir-uwb介绍
您好，目前还没有人创建词条ir-uwb!
欢迎您创建该词条，阐述对ir-uwb的理解，并与今后在此搜索ir-uwb的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473