5月31日，在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌科技展出的一系列创新产品和解决方案生动地诠释了大会的宣传口号“高能效之道（Energy – the efficient way）”。这些产品和解决方案可确保大幅降低电子设备和机器的能耗。
国际能源机构（IEA）预计，今后20年，全球能耗
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英飞凌 IGBT CoolMOS
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台，C6器件针对易用性进行了优化，而E6器件则旨在提供最高效率。
CoolMOS™ C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具备快速、可控的开关性能，
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英飞凌 CoolMOS MOSFET
英飞凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
C6系列是英飞凌推
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英飞凌 MOSFET CoolMOS C6
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