首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道M...
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PMOS 开关管 MOSFET 二极管
CCD和CMOS是当前主要的两项成像技术，它们产生于不同的制造工艺背景，就当前技术言仍各具优劣。选择CCD或CMOS摄像机应依据适用环境和要求，合适选用CCD或CMOS技术，便能使图像监控达到预期的效果。另外，还可看到，C
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分析 技术 主要 CMOS CCD
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间
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电路设计 选择 开关 PMOS
摘要：利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案，使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路，在此基础上设计输入输出匹配网络
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CMOS 共源共栅 功率放大器 方案
摘要：传统基准电路主要采用带隙基准方案，利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT
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CMOS VTH 电压基准
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工艺，在Hspice下，对四利PMOS管基准电压源进行了分析和仿真，文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。
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仿真 分析 电压 基准 CMOS
艾克赛利(Accelicon)，器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者，宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会(2011 IEEE International SOI Conference)，并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。
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艾克赛利 CMOS
摘要：片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点，电路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工艺设计2．4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大
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4GHz CMOS 35 集成
图1中电路会根据一个脉冲，切换一个DPDT（双刀双掷）锁存继电器的状态。它包括一个瞬动开关至步进电压信号发生器，一个差分脉冲转换器，一个继电器驱动器，以及一个继电器线圈。 瞬动开关提供驱动电路的步进电压信
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研究 电路 CMOS 继电器
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非传统
摘要：为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真，在分析MOS变容管特性的基础上，通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0．35mu;m这个特定的工艺库
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仿真 建模 分析 特性 PMOS 管变容 集成
摘要：设计了一种基于0．25 mu;m CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿
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稳压器 设计 线性 LDO 成型 CMOS 全集
摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工艺设计了一个12位50 MS／s流水线A／D转换器(ADC)。为了减小失真和降低功耗，该ADC利用余量增益放大电路(MDAC)内建的采样保持功能，去掉了传统的前端采样保持电路，采用时间常数匹配
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流水线 转换器 CMOS MS 12位 一种
7月10日，北京思比科微电子董事长陈杰在东莞松山湖IC创新高峰论坛上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，现已进入创业板辅导流程。
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思比科 CMOS
CMOS成像技术的领先创新厂商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技术最近在6Sight Mobile Imaging Summit上荣获国际成像行业协会(International Imaging Industry Association, I3A)颁发VISION 2020成像技术创新铜奖。
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Aptina CMOS
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