在当前图像传感器市场,CMOS传感器以其低廉的价格得到越来越多消费者的青睐。在目前的应用中,多数采用软件进行数据的读取,但是这样无疑会浪费指令周期,并且对于高速器件,采用软件读取在程序设计上、在时间配合上有一定的难度。因此,为了采集数据量大的图像信号,本文设计一个以CPLD为核心的图像采集系统,实现了对OV7110CMOS图像传感器的高速读取,其读取速率可达8 Mb/s。
1、硬件电路方案
图1为基于CPLD的OV7110CMOS图像传感器的高速数据采集系统原理框图,他主要由2个部分组成:
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CPLD CMOS OV7110
引言
但是,目前市场上的大部分基于CMOS图像传感器的图像采集系统都是采用DSP与图像传感器相连,由DSP来控制图像传感器,然后由DSP采集到图像后再通过USB接口将图像数据传输到PC机进行后续的处理。这样的图像采集系统成本较高,功耗大,而且体积上也有一定的限制,并不适合一些简单的应用。
本文设计了一种基于S3C2410的CMOS图像传感器数据采集系统。该系统成本更为低廉、结构更为简单、设计更为新颖。
1 CMOS图像传感器结构性能及工作原理
该系统选用OmniVision公司
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ARM9 CMOS
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件,CMOS则应用于较低影像品质的产品中。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大,信噪比小,分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗衡。但
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CMOS 图像传感器
0 前言
织物上的疵点主要是由纤维上的花结引起的,计花器是纺织业中的一种常用设备,主要用于统计(或清除)纺锭上的花结,是确定纤维质量等级的主要依据。目前国产计花器主要有电容式和光电式两种,精度较低,对高支纤维的处理较困难。本文提出利用CMOS图像传感器,进行纤维花结的感知,其精度可达0.02mm,完全可以满足当前高支纤维的生产需要。
1 ME1010简介
ME1010是一个使用方便的综合图像传感器,由Microne公司采用专利结构开发,旨在使其更便于与计算机产品构成一个整体。不同于传
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CMOS 图像传感器 ME1010
引言
CMOS图像传感器是近年来得到快速发展的一种新型固态图像传感器。它将图像传感部分和控制电路高度集成在同一芯片里,体积明显减小、功耗也大大降低,满足了对高度小型化、低功耗成像系统的要求。与传统的CCD图像传感器相比,CMOS图像传感器还具有集成度高、控制简单、价格低廉等诸多优点。因此随着CMOS集成电路工艺的不断进步和完善,CMOS图像传感器已经广泛应用于各种通用图像采集系统中。同时作为一种PC机与外围设备间的高速通信接口,USB具有许多突出的有点:连接简便,可热插拔,无需定位及运行安装程序
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USB CMOS
领先的高性能集成电路和系统解决方案提供商Exar公司,即日宣布发布一款6V至40V的工作电压范围,四路输出可编程通用PMIC-XR77129。其专利性的控制架构,采用17-bit宽PID电压型输入前馈方式,非常适合40V输入电压范围。该控制器提供单输入电压,四路输出电压轨,降压式控制器内部集成MOSFET门极驱动和双LDO输出该产品还可以通过I2C总线实时监测电源状态,动态控制输出电压参数。五个可配置GPIO可以用于状态指示和时序控制,以加速电源系统设计。
XRP77129使用Exar设计工具P
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MOSFET SMBus LDO
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor) 推出新一代1,300万像素(MP)图像传感器AR1335,扩充其宽广的图像产品系列。基于先进的1.1微米(μm)像素技术,AR1335确立了灵敏度新基准,量子效率 (QE) 和线性电位井容量也得以显著提升。这图像传感器专为智能手机相机应用而设计,带来近乎数码相机的成像优质体验,同时也针对移动设备优化了功耗和占板空间。
安森美半导体为高性能智能手机传感器开发了创新的 1.1 μm像素技术,先进的像素和颜色滤波阵列 (CF
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安森美 CMOS 传感器
刚刚过去的2014年,加速了全球物联网的落地和普及,通过无线网络进行连接已渐成主流。未来5年,全球将有超过500亿个终端相互连接,进入一个全新的互联网时代。
然而,在一直被视为“高资本行业”的整个芯片产业,射频前端芯片作为移动网络连接的关键部分,却仍旧面临着一些挑战,技术良莠不齐的产业发展瓶颈亟待解决。
RFaxis市场与应用工程副总裁钱永喜
据了解,目前射频器件的主流制造材料是砷化镓,射频元件的成本较高,众多厂商都希望寻找更高性价
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物联网 射频 CMOS
“硅是上帝送给人类的礼物,整个芯片业几乎都拿到了这份礼物,无线通信领域应该尽快得到它。”RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜日前在接受媒体采访时如是说。他认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代“该结束”了,纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰移动互联网和物联网时代。
业界对CMOS PA产品的热情一直没有减退。2014年6月,高通(Qualcomm)并购CMOS PA供应商Black S
关键字:
CMOS GaAs ZigBee
今年国内中低端智能手机的爆发对PA需求不断放大。从第二季度开始,PA芯片市场便处于供货紧张的状态,5月下旬更出现断货问题,PA芯片供给缺口越来越大。集微网记者今天有幸采访到国内射频前端厂商中普微电子的CEO焦健堂先生,业内亲切的称呼他“焦叔“,聊聊中普微电子的现状以及未来PA市场的发展前景。
2015年PA市场供货吃紧状态难解
PA(功率放大器)是手机中除主芯片外最重要的外围元件之一,影响着手机的信号强度、通信质量以及基站效率。2G手机时代仅需要两颗PA,而4G手机
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功率放大器 4G CMOS
0引言
心血管疾病日益严重地威胁着人类的生命,通过日常监护预先发现异常,及时施救,是对抗心血管疾病的重要手段。近年来一些便携式的家用心电仪陆续诞生,满足了心电参数快速采集的基本需求,改善了家庭护理条件。随着计算机和互联网技术的发展,远程监护系统应运而生,远程数据采集和分析对便携式心电仪在信息可视化、数据记录分析以及资源共享等方面提出了新的需求。
虚拟仪器是由计算机硬件资源、模块化仪器硬件和用于数据分析、过程通讯及图形用户界面的软件组成的测试系统。它以计算机作为统一的硬件平台,把传统仪器的专
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虚拟仪器 CMOS AD620
您可利用可调节 LDO 创建任意输出电压。不过,对于 TPS7A8300、TPS7A7100、TPS7A7200 以及 TPS7A7300 等 ANY-OUT 可编程输出电压器件而言,情况并非如此,其范围和分辨率都是有限的。对于这四款器件,您可使用它们的通用反馈架构提高分辨率。
下图是通用反馈架构:
图 1:ANY-OUT 架构
我以 TPS7A83 的值为例。注意,参考电压基本上由放大器周围的增益放大。反馈电阻器在这里设置为 2.R,增益电阻器可以选择。此外,增益电阻器还可进行二进
关键字:
LDO TPS7A8300 分辨率
在过去的几十年里,半导体技术取得了突飞猛进的发展,同时也极大的推动了现代通信技术的发展。在移动通信方面更是如此,从上世纪八十年代开始商用的第一代模拟移动通信技术到今天的第三代(3G)数字移动通信技术,短短二十多年的时间,移动通信技术的发展日新月异,全球已有数十亿的普通用户体验到了由移动通信技术所带来的极大便利。截至2006年底,全球有二十多亿移动通信用户,目前,用户数还在快速增长当中。这其中,中国就有四亿用户,占全球移动通信用户数的五分之一。因此可以说,中国是全球移动通信市场的重中之重。
随着移
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CMOS 射频收发器
作为目前在世界上使用最为广泛的移动通信标准,自从九十年代开始在全球大规模商用以来,GSM一直展示出强大的生命力。不管是在GSM的发源地欧洲,还是在移动通信的新兴市场亚洲、非洲,GSM系统都拥有最为成熟和完善的产业链和用户群,涵盖了系统、终端、设备、软件、测试等等领域。随着GPRS、EDGE等可以进一步丰富GSM数据应用的技术开始应用,在今后的相当长的时间内,GSM凭借广泛的网络覆盖、可靠的通信质量、低廉的资费,必将构造和3G标准共存双赢的格局。
手机终端作为和用户接触最为紧密的产品,其价格、性能
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CMOS GSM 射频收发器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3007 的更宽温度范围 H 级新版本,该器件是高压、微功率、基于坚固 PNP 的 LDO 系列之最新成员,具备 3µA 超低静态电流。这个 H 级器件的 150oC 结温額定值非常适合高温和高功率的汽车和工业应用。LT3007 具备高输入电压能力,电压范围为 2.0V 至 45V,并提供 0.6V 至 44.5V 的可调输出电压范围,能工作于种类繁多的应用。LT3007 的管脚引出线符合 FMEA (
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凌力尔特 LT3007 LDO
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